Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Joel M. Halbert"'
Autor:
Jeff A. Babcock, Alan Buchholz, Robert Malone, Mattias Dahlstrom, Marco Corsi, Alexei Sadovnikov, Hiroshi Yasuda, Joel M. Halbert, Jonggook Kim, Greg Cestra
Publikováno v:
2016 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM).
The evolution of silicon and silicon-germanium pnp transistors is reviewed in this paper. The motivation for SiGe-pnp transistors in Complementary Bipolar (CBi) and CBiCMOS is discussed with a view on device parametric parameters that help gage the u
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37fd88d32864524f0ead08fa58a53fa5
https://doi.org/10.1109/bctm.2016.7738946
https://doi.org/10.1109/bctm.2016.7738946
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.