Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Jo, Youhwan"'
Autor:
Kim, Ki Seok, Seo, Seunghwan, Kwon, Junyoung, Lee, Doyoon, Kim, Changhyun, Ryu, Jung-El, Kim, Jekyung, Song, Min-Kyu, Suh, Jun Min, Jung, Hang-Gyo, Jo, Youhwan, Ahn, Hogeun, Lee, Sangho, Cho, Kyeongjae, Jeon, Jongwook, Seol, Minsu, Park, Jin-Hong, Kim, Sang Won, Kim, Jeehwan
The demand for the three-dimensional (3D) integration of electronic components is on a steady rise. The through-silicon-via (TSV) technique emerges as the only viable method for integrating single-crystalline device components in a 3D format, despite
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.03206
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
A novel modification of the Tersoff potential for Si is presented. The modification improves the transferability of the Tersoff potential for liquid states without the change of original parameters and with no alteration of bulk properties. Also, the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.05739
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.