Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"Jiqun Shi"'
Autor:
Min Li, Zhen Xu, Jiqun Shi, Mengru Zhang, Keer Qiang, Ke Lv, Qinyi Wu, Xiaoyi Pang, Yu Zhao, Jianda Xu
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-7 (2024)
Abstract Arthroscopic capsular release is a most well-known technique with favorable outcomes for frozen shoulder. However, considering the surgical trauma and the improvement of multisite injection, we design a study to compare the pain relief and s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3783bdeafd384e1385808187662efc2c
Publikováno v:
ResearcherID
Since 1983, surface passivation combined with other technology has so successfully been used for MINP, PESC, PERC and PERL, that they formed a new family of solar cell named passivated silicon solar cells. Their conversion efficiency broke through 18
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::80acb02721a616850387b709987e657a
https://doi.org/10.1109/icsict.1995.499771
https://doi.org/10.1109/icsict.1995.499771
Autor:
A. W. Stephens, M. Taouk, Jianhua Zhao, A. B. Sproul, M. A. Green, X. Dai, F. Yun, Jiqun Shi, S.R. Wenham, A. Wang, B. Chan, A. Milne
This report describes research for the period September 1988 to February 1990 directed at improving the performance of crystalline and polycrystalline silicon solar cells. Key results include the demonstration of 24.2% energy conversion efficiency fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::340c523457748c1a68f4676be3e28295
https://doi.org/10.2172/10129983
https://doi.org/10.2172/10129983
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 1984, Vol. 31 Issue 5, p679-683, 5p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 31:679-683
Silicon solar cells are described which operate at energy conversion efficiencies independently measured at 18.7 percent under standard terrestrial test conditions (AM1.5, 100 mW/cm2, 28°C). These are apparently the most efficient silicon cells fabr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::68ec7c9af75677511c9a0e0faf372129
https://doi.org/10.1109/t-ed.1984.21589
https://doi.org/10.1109/t-ed.1984.21589
Publikováno v:
Proceedings of 4th International Conference on Solid-State & IC Technology; 1995, p160-162, 3p
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 44:1163-1164
Substantial improvements in silicon solar cell performance are reported. These improvements have been obtained primarily by improved cell open circuit voltage obtained by improved passivation of the cell emitter region. Careful attention to optical d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::459dcd7ec0851ff6d666f0dc650e8008
https://doi.org/10.1063/1.94678
https://doi.org/10.1063/1.94678
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.