Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Jin, Taehyeok"'
Autor:
Kim, Boram, Park, Jeehoon, Li, Jinshu, Lim, Hongsik, Myeong, Gyuho, Shin, Wongil, Kim, Seungho, Jin, Taehyeok, Zhang, Qi, Sung, Kyunghwan, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Hwang, Euyheon, Cho, Sungjae
Certain layered transition metal dichalcogenides (TMDCs), such as 1T-TaS2, show a rich collection of charge density wave (CDW) phases at different temperatures, and their atomic structures and electron conductions have been widely studied. However, t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2201.04844
Autor:
Myeong, Gyuho, Shin, Wongil, Kim, Seungho, Lim, Hongsik, Kim, Boram, Jin, Taehyeok, Sung, Kyunghwan, Park, Jihoon, Fuhrer, Michael S., Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Liu, Fei, Cho, Sungjae
An increase in power consumption necessitates a low-power circuit technology to extend Moore's law. Low-power transistors, such as tunnel field-effect transistors (TFETs), negative-capacitance field-effect transistors (NC-FETs), and Dirac-source fiel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.00924
Autor:
Kim, Seungho, Myeong, Gyuho, Shin, Wongil, Lim, Hongsik, Kim, Boram, Jin, Taehyeok, Chang, Sungjin, Watanabe, Kenji, Taniguchi, Takashi, Cho, Sungjae
The continuous down-scaling of transistors has been the key to the successful development of current information technology. However, with Moore's law reaching its limits, the development of alternative transistor architectures is urgently needed. Tr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.07364
Autor:
Li, Lijun, Zhang, Jin, Myeong, Gyuho, Shin, Wongil, Lim, Hongsik, Kim, Boram, Kim, Seungho, Jin, Taehyeok, Cavill, Stuart A., Kim, Beom Seo, Kim, Changyoung, Lischner, Johannes, Ferreira, Aires, Cho, Sungjae
Publikováno v:
ACS Nano 14, 5251 (2020)
We report the observation of current-induced spin polarization, the Rashba-Edelstein effect (REE), and its Onsager reciprocal phenomenon, the spin galvanic effect (SGE), in a few-layer graphene/2H-TaS2 heterostructure at room temperature. Spin-sensit
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.10702
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, Lijun, Zhang, Jin, Myeong, Gyuho, Shin, Wongil, Lim, Hongsik, Kim, Boram, Kim, Seungho, Jin, Taehyeok, Cavill, Stuart, Kim, Beom Seo, Kim, Changyoung, Lischner, Johannes, Ferreira, Aires, Cho, Sungjae
Publikováno v:
ACS Nano; May 2020, Vol. 14 Issue: 5 p5251-5259, 9p
