Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"Jiang Weichao"'
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 13, Iss 26, Pp 4733-4741 (2024)
In this work, negative-capacitance (NC) and local surface plasmon resonance (LSPR) coupled MoS2 phototransistors with a gate stack of HZO/AuNPs/Al2O3/MoS2 are fabricated, and the impacts of Al2O3 interlayer-thickness (T AlO) on the LSPR effect, the t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c53c651910254455ae129c3ee101470b
Autor:
Xu, Hongwei1 (AUTHOR), Jiang, Weichao2 (AUTHOR), Du, Songying1 (AUTHOR), Zhu, Honggang1 (AUTHOR), Sun, Rui1 (AUTHOR), Bai, Xuejian1 (AUTHOR), Wu, Bo1 (AUTHOR), Li, Qun1 (AUTHOR), Huo, Da1 (AUTHOR), Yang, Huaiyu1 (AUTHOR) huaiyu7555@outlook.com
Publikováno v:
PLoS ONE. 9/12/2024, Vol. 19 Issue 9, p1-19. 19p.
Publikováno v:
In Ceramics International 15 March 2024 50(6):9234-9242
Autor:
Su, Rui, Xiao, Ruizi, Shen, Chenglin, Chen, Yinyuan, Jiang, Weichao, Zhang, Zichong, Zhang, Runqing, Dong, Awei, Cheng, Weiming, Wang, Xingsheng, Miao, Xiangshui
Publikováno v:
In Ceramics International 1 January 2024 50(1) Part B:2000-2008
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deng, Yu Heng, Su, Rui, Jiang, Weichao, Sun, Hao, Wang, Qing He, Liu, Lu, Xu, Jingping, Lai, Peter T.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; December 2024, Vol. 71 Issue: 12 p7943-7947, 5p