Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Jiang, Peilu"'
Autor:
JIANG, Peilu, Jiang, Peilu, SONG, SUBIN, Song, Subin, ZHOU, HUANGKAI, Zhou, Huangkai, Yamaguchi, Yumi, Suzuki, Kouta, KANNO, Ryoji, Hirayama, Masaaki
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::94f019214358163a20383da7e8d8c7f3
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100882189
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100882189
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhang, Long, Liu, Yicheng, Zhao, Zedong, Jiang, Peilu, Zhang, Teng, Li, Mengxiong, Pan, Shaoxue, Tang, Tianyu, Wu, Tianqi, Liu, Peiying, Hou, Yanglong, Lu, Hongbin
Publikováno v:
ACS Nano; 7/28/2020, Vol. 14 Issue 7, p8495-8507, 13p
Autor:
Zhang, Long, Liu, Yicheng, Zhao, Zedong, Jiang, Peilu, Zhang, Teng, Li, Mengxiong, Pan, Shaoxue, Tang, Tianyu, Wu, Tianqi, Liu, Peiying, Hou, Yanglong, Lu, Hongbin
Publikováno v:
ACS Nano; July 2020, Vol. 14 Issue: 7 p8495-8507, 13p
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 31:013002
To suppress the extension of the photo-sensitive area of a planar-type InGaAs detector, the structure of the detector was modified, and the small-diffusion-area diffusion method, circle-type covering contact and guard-ring were introduced. The laser-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e53cc6ac90c4d936b59f052a255c0dd6
https://doi.org/10.1088/1674-4926/31/1/013002
https://doi.org/10.1088/1674-4926/31/1/013002
Autor:
Liao Qingjun, Yu Meifang, Hu Xiaoning, Zhang Bo, Wen Xin, Dai Ning, Zhang Yan, Jiang Peilu, Sun Yinghui
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 30:094007
Crosstalk of HgCdTe long-wavelength infrared (LWIR) n-on-p diode arrays was measured using scanning laser microscopy. During the measurement, HgCdTe diode arrays with different diode pitches were frontside illuminated by a He–Ne laser at liquid nit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c79cfdf5911eeec818b1a5d6672009d
https://doi.org/10.1088/1674-4926/30/9/094007
https://doi.org/10.1088/1674-4926/30/9/094007
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2009 Part 3, Issue 1, p73810Y-73810Y-7, 7p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; November 2011, Vol. 8002 Issue: 1 p80020D-80020D-8, 720189p
Autor:
Zhang, Long, Chen, Zhongxin, Dongfang, Nanchen, Li, Mengxiong, Diao, Caozheng, Wu, Qingsong, Chi, Xiao, Jiang, Peilu, Zhao, Zedong, Dong, Lei, Che, Renchao, Loh, Kian Ping, Lu, Hongbin
Publikováno v:
Advanced Energy Materials; 12/14/2018, Vol. 8 Issue 35, pN.PAG-N.PAG, 1p