Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Jiang, Mengxuan"'
Autor:
Du, Xinyuan, Ismail, Ahmed, Allee, Eric, Hasan, Abu Shahir Md Khalid, Li, Xiaoling, Jiang, Mengxuan, Kumar, Ashish, Olejniczak, Kraig, Pelletier, Dan, Zhao, Yue
Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Electronics; December 2024, Vol. 39 Issue: 12 p15430-15435, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 3, Pp 144-148 (2016)
This paper proposes a novel field-stop insulated gate bipolar transistor with an N-type pillar (NP-IGBT) formed on the silicon backside, which acts as a field-stop layer to pinch off electric field in the n-drift region under forward-blocking mode. T
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::21bae3c45991ff68d8b1126cc5a62d48
https://doi.org/10.1109/jeds.2016.2537828
https://doi.org/10.1109/jeds.2016.2537828
Autor:
Jiang, Mengxuan1 mxuanjiang@gmail.com, Gao, Longjiang1
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. Jul2020, Vol. 67 Issue 7, p2854-2858. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 36:935-937
This letter proposes a novel collector trench insulated-gate bipolar transistor (IGBT) with an electron extraction channel formed on the collector side to enhance the electron extraction effect with a backside lithography process. TCAD simulation ind
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5cadfa2d212fe4ea762b2d71c16fd40
https://doi.org/10.1109/led.2015.2462807
https://doi.org/10.1109/led.2015.2462807
Autor:
Jiang Mengxuan, Shanglin Mo, Xin Yin, Jun Wang, Daming Wang, T. Paul Chow, Zhikang Shuai, Sai Tang, Z. John Shen
Publikováno v:
2016 IEEE 8th International Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC-ECCE Asia).
This paper investigates the applicability and commutation strategy of a new monolithic dual-gate bidirectional IGBT (BD-IGBT) in matrix converters. Physics-based device model of the BD-IGBT is first developed and experimentally validated. Operation m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4d3c6a63318806ea187e98513dc572c6
https://doi.org/10.1109/ipemc.2016.7512301
https://doi.org/10.1109/ipemc.2016.7512301
Autor:
Jun Wang, Zhikang Shuai, Yan Li, Gourab Sabui, An Luo, Zhenyu Miao, Xin Yin, Aozhu Chen, Jiang Mengxuan, Z. John Shen
Publikováno v:
2015 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC).
This paper introduces a new self-powered solid state circuit breaker (SSCB) concept using a normally-on SiC JFET as the main static switch and a fast-starting isolated DC/DC converter as the protection driver. The new SSCB detects short circuit fault
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83e187e27a14f24bc209df8e2fb1437b
https://doi.org/10.1109/apec.2015.7104436
https://doi.org/10.1109/apec.2015.7104436
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.