Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Jia Chuan-Yu"'
Autor:
Chang, Chih-Li, Lin, Wei-Cheng, Jia, Chuan-Yu, Ting, Li-Yu, Jayakumar, Jayachandran, Elsayed, Mohamed Hammad, Yang, Yong-Quan, Chan, Yang-Hsiang, Wang, Wen-Shin, Lu, Chia-Yeh, Chen, Pei-Yu, Chou, Ho-Hsiu *
Publikováno v:
In Applied Catalysis B: Environment and Energy 5 July 2020 268
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B. 18:2603-2609
Strain effects on the polarized optical properties of c-plane and m-plane InxGa1−xN were discussed for different In compositions (x = 0, 0.05, 0.10, 0.15) by analyzing the relative oscillator strength (ROS) and energy level splitting of the three t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf701b8e63990c6f184e1e0d37fd80cc
https://doi.org/10.1088/1674-1056/18/6/080
https://doi.org/10.1088/1674-1056/18/6/080
Autor:
Yang Zhi-Jian, Qin Zhi-Xin, YU Tong-Jun, Zhang Guo-Yi, MU Sen, Huang Liu-Bing, Chen Zhi-Zhong, Pan Yao-Bo, Jia Chuan-Yu
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 24:3245-3248
Electrical characteristics of In0.05Ga0.95N/Al0.07Ga0.93N and In0.05Ga0.95N/GaN multiple quantum well (MQW) ultraviolet light-emitting diodes (UV-LEDs) at 400 nm wavelength are measured. It is found that for InGaN/AlGaN MQW LEDs, both ideality factor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5ea08d4f1ad00e87d7abb900415e1fe
https://doi.org/10.1088/0256-307x/24/11/061
https://doi.org/10.1088/0256-307x/24/11/061
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lian Gui-Jun, Chen Zhi-Zhong, Tian Peng-Fei, Jia Chuan-Yu, Zhang Guo-Yi, Kang Xiang-Ning, YU Tong-Jun, Sun Yongjian, Huang Sen
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 27:127303
GaN-based thin film vertical structure light-emitting diodes (VS-LEDs) were fabricated by a modified YAG laser lift-off (LLO) process and transferred to Cu substrates. With a comparison of the electrical and optical properties of conventional LEDs on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c92afe44b8c9562e4dee18c2420b6e4a
https://doi.org/10.1088/0256-307x/27/12/127303
https://doi.org/10.1088/0256-307x/27/12/127303
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 26:087802
Polarization-resolved edge-emitting electroluminescence (EL) studies of InGaN/GaN MQWs of wavelengths from near-UV (390 nm) to blue (468 nm) light-emitting diodes (LEDs) are performed. Although the TE mode is dominant in all the samples of InGaN/GaN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::696c3dac69e3145123e8d32cf07c6d3b
https://doi.org/10.1088/0256-307x/26/8/087802
https://doi.org/10.1088/0256-307x/26/8/087802
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.