Výsledky vyhledávání - "Jeyakumar, Ranie S."

Akademický článek

Analytical model and experimental validation of critical dependency of pGaN gated AlGaN/GaN enhancement-mode high electron mobility transistor characteristics on trap-assisted tunneling.

Autor: Jeyakumar, Ranie S., James, J. J., Ganguly, Swaroop, Saha, Dipankar

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/21/2024, Vol. 136 Issue 15, p1-9, 9p

Zobrazit plný text záznamu