Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Jerzy Katcki"'
Autor:
Jerzy Katcki, Jacek Ratajczak, Andrzej Jakubowski, Lidia Łukasiak, Daniel Tomaszewski, Jan Gibki
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3-4 (2000)
SOI fabrication process was characterized using electrical and TEM methods. The investigated SOI structures included partially and fully depleted capacitors, gated diodes and transistors fabricated on SIMOX substrates. From C-V and I-V measurements o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5b00f4314ce5431ea279be394e1f443d
Publikováno v:
Transactions of the Electrochemical Society, 3
A detailed study of the formation of iridium like silicide obtained on ultra high vacuum annealing and on rapid thermal annealing is proposed using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), transmission electron microscopy (TEM) and electrical characte
Autor:
Dieter G. Ast, Jerzy Katcki
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 64:1125-1130
Irradiation of edge defined film fed growth silicon in the 400 kV HREM generates two kinds of radiation defects. The first ones are {113} planar faults which appear both as single defects and in more complicated arrangements (‘‘snaking ribbons,
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.