Zobrazeno 1 - 10
of 127
pro vyhledávání: '"Jeong， Min-Ju"'
First Report of Polymorphisms and Genetic Characteristics of Prion-like Protein Gene (PRND) in Cats.
Autor:
Jeong, Min-Ju1,2 (AUTHOR) minju5149@jbnu.ac.kr, Kim, Yong-Chan3 (AUTHOR) kych@anu.ac.kr, Jeong, Byung-Hoon1,2 (AUTHOR) bhjeong@jbnu.ac.kr
Publikováno v:
Animals (2076-2615). Dec2024, Vol. 14 Issue 23, p3438. 16p.
Publikováno v:
In Joule 20 November 2024 8(11):3186-3200
Autor:
Zhou, Haoran a, 1, Jeong, Min Ju b, 1, Do, Jung Jae c, d, Lee, Hyo Jae c, d, Oh, Oui Jin b, Kim, Yekyung a, Kim, Gisung e, Jung, Jae Woong c, d, Yang, JungYup e, f, ⁎, Noh, Jun Hong b, ⁎, Kang, Sung Ho a, ⁎
Publikováno v:
In Chemical Engineering Journal 1 November 2024 499
Autor:
Lee, Sangheon, Woo, Mun Young, Kim, Changyong, Kim, Kyung Won, Lee, Hyemin, Kang, Seok Beom, Im, Jeong Min, Jeong, Min Ju, Hong, Yunhwa, Yoon, Joo Woong, Kim, Sung Yong, Heo, Kwang, Zhu, Kai, Park, Ji-Sang, Noh, Jun Hong, Kim, Dong Hoe
Publikováno v:
In Chemical Engineering Journal 1 January 2024 479
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jeong, Min Ju, Moon, Chan Su, Lee, Seungmin, Im, Jeong Min, Woo, Mun Young, Lee, Jun Hyeok, Cho, Hyeonah, Jeon, Soo Woong, Noh, Jun Hong
Publikováno v:
In Joule 18 January 2023 7(1):112-127
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jun-Hyeok Lee, Jeong-Min Ju, Gokhan Atmaca, Jeong-Gil Kim, Seung-Hyeon Kang, Yong Soo Lee, Sang-Heung Lee, Jong-Won Lim, Ho-Sang Kwon, Sefer Bora Lisesivdin, Jung-Hee Lee
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1179-1186 (2018)
In this paper, we investigated characteristics of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) with high resistive buffer structure consisted of periodically carbon-doped (PCD) GaN buffer layer and AlGaN back barrier layer. The PCD structure
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8c41fbcf096a4460860a2390b0d9f155