Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"Jeong, Eugene"'
Autor:
Park, Jimyung, You, Seng Chan, Jeong, Eugene, Weng, Chunhua, Park, Dongsu, Roh, Jin, Lee, Dong Yun, Cheong, Jae Youn, Choi, Jin Wook, Kang, Mira, Park, Rae Woong
Publikováno v:
JMIR Medical Informatics, Vol 9, Iss 3, p e23983 (2021)
BackgroundAlthough electronic health records (EHRs) have been widely used in secondary assessments, clinical documents are relatively less utilized owing to the lack of standardized clinical text frameworks across different institutions. ObjectiveTh
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cc31d09aa414d038c967d504301563d
Autor:
Biswas, Abhijit, Alvarez, Gustavo A., Li, Tao, Christiansen-Salameh, Joyce, Jeong, Eugene, Puthirath, Anand B., Iyengar, Sathvik Ajay, Li, Chenxi, Gray, Tia, Zhang, Xiang, Pieshkov, Tymofii S., Kannan, Harikishan, Elkins, Jacob, Vajtai, Robert, Birdwell, A. Glen, Neupane, Mahesh R., Garratt, Elias J., Pate, Bradford B., Ivanov, Tony G., Zhao, Yuji, Tian, Zhiting, Ajayan, Pulickel M.
Publikováno v:
Phys. Rev. Materials 7, 094602 (2023)
Heterostructures based on ultrawide-bandgap (UWBG) semiconductors (bandgap >4.0 eV), boron nitride (BN) and diamond are important for next-generation high-power electronics. However, in-situ hetero-epitaxy of BN/diamond or vice-versa remains extremel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.13306
Autor:
Biswas, Abhijit, Xu, Rui, Christiansen-Salameh, Joyce, Jeong, Eugene, Alvarez, Gustavo A., Li, Chenxi, Puthirath, Anand B., Gao, Bin, Garg, Arushi, Gray, Tia, Kannan, Harikishan, Zhang, Xiang, Elkins, Jacob, Pieshkov, Tymofii S., Vajtai, Robert, Birdwell, A. Glen, Neupane, Mahesh R., Pate, Bradford B., Ivanov, Tony, Garratt, Elias J., Dai, Pengcheng, Zhu, Hanyu, Tian, Zhiting, Ajayan, Pulickel M.
Publikováno v:
Nano Lett. 2023, 23, 15, 6927
Boron nitride (BN) is an exceptional material and among its polymorphs, two-dimensional (2D) hexagonal and three-dimensional (3D) cubic BN (h-BN and c-BN) phases are most common. The phase stability regimes of these BN phases are still under debate a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.08474
Publikováno v:
In Journal of Biomedical Informatics May 2024 153
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jeong, Eugene, Osmundson, Sarah, Gao, Cheng, Edwards, Digna R. Velez, Malin, Bradley, Chen, You
Publikováno v:
In Computer Methods and Programs in Biomedicine November 2021 211
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Biswas, Abhijit, Alvarez, Gustavo A., Li, Tao, Christiansen-Salameh, Joyce, Jeong, Eugene, Puthirath, Anand B., Iyengar, Sathvik Ajay, Li, Chenxi, Gray, Tia, Zhang, Xiang, Pieshkov, Tymofii S., Kannan, Harikishan, Elkins, Jacob, Vajtai, Robert, Birdwell, A. Glen, Neupane, Mahesh R., Garratt, Elias J., Pate, Bradford B., Ivanov, Tony G., Zhao, Yuji, Tian, Zhiting, Ajayan, Pulickel M.
Heterostructures based on ultrawide-bandgap (UWBG) semiconductors (bandgap >4.0 eV), boron nitride (BN) and diamond are important for next-generation high-power electronics. However, in-situ hetero-epitaxy of BN/diamond or vice-versa remains extremel
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c5c60699e1f243c5e57d43a2300e2c59
http://arxiv.org/abs/2305.13306
http://arxiv.org/abs/2305.13306