Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Jennings, Mike R."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arvanitopoulos, Anastasios, Li, Fan, Jennings, Mike R., Perkins, Samuel, Gyftakis, Konstantinos N., Mawby, Philip, Antoniou, Marina, Lophitis, Neophytos
The ability of cubic phase (3C-) Silicon Carbide (SiC) to grow heteroepitaxially on Silicon (Si) substrates (3C-SiC-on-Si) is an enabling feature for cost-effective Wide Bandgap devices and homogeneous integration with Si devices. In this paper, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::4f47885fb8ee2a427ff9060e2853cdca
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dai, Tianxiang, Chan, Chun Wa, Deng, Xc, Jiang, Huaping, Gammon, Peter M., Jennings, Mike R., Mawby, Phil A.
Publikováno v:
Electronics Letters (Wiley-Blackwell); Feb2018, Vol. 54 Issue 3, p167-169, 3p
Autor:
Gammon, Peter M., Fisher, Craig A., Shah, Vishal A., Jennings, Mike R., Pérez-Tomás, Amador, Burrows, Susan E., Myronov, Maksym, Leadley, David R., Mawby, Phil A.
Publikováno v:
Materials Science Forum; February 2014, Vol. 778 Issue: 1 p863-866, 4p
Publikováno v:
Materials Science Forum; February 2014, Vol. 778 Issue: 1 p824-827, 4p
Autor:
Sharma, Yogesh K., Ahyi, Ayayi C., Isaacs-Smith, Tamara, Modic, Aaron, Xu, Yi, Granfukel, Eric, Jennings, Mike R., Fisher, Craig, Thomas, Stpehen M., Mawby, Philip A., Dhar, Sarit, Feldman, Leonard C., Williams, John
Publikováno v:
Materials Science Forum; February 2014, Vol. 778 Issue: 1 p513-516, 4p
Autor:
Tianxiang Dai, Chun Wa Chan, Xc Deng, Huaping Jiang, Gammon, Peter M., Jennings, Mike R., Mawby, Phil A.
Publikováno v:
Electronics Letters (Wiley-Blackwell); 2/8/2018, Vol. 54 Issue 3, p167-169, 2p