Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"Jelver, Line"'
Autor:
Jelver, Line, Cox, Joel D.
The linear electronic dispersion relation of graphene endows the atomically thin carbon layer with a large intrinsic optical nonlinearity, with regard to both parametric and photothermal processes. While plasmons in graphene nanostructures can furthe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.14798
Autor:
Jelver, Line, Cox, Joel D.
Publikováno v:
ACS Nano 17, 20043 (2023)
Phosphorene has emerged as an atomically-thin platform for optoelectronics and nanophotonics due to its excellent nonlinear optical properties and the possibility of actively tuning light-matter interactions through electrical doping. While phosphore
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.09532
Publikováno v:
Phys. Rev. B 104, 045313 (2021)
The two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs) have been proposed as candidates for the channel material in future field effect transistor designs. The heterophase design which utilizes the metallic T- or T' phase of the TMD as contacts
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.05800
The Schottky barrier of a metal-semiconductor junction is one of the key quantities affecting the charge transport in a transistor. The Schottky barrier height depends on several factors, such as work function difference, local atomic configuration i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.09521
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 155420 (2019)
Using density functional theory calculations and the Greens's function formalism, we report the existence of magnetic edge states with a non-collinear spin texture present on different edges of the 1T' phase of the three monolayer transition metal di
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.09082
The geometry and structure of an interface ultimately determines the behavior of devices at the nanoscale. We present a generic method to determine the possible lattice matches between two arbitrary surfaces and to calculate the strain of the corresp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1702.00933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jelver, Line
Publikováno v:
Jelver, L 2021, Atomic-scale modelling of interfaces in nanoscale electronics . Department of Physics, Technical University of Denmark .
The evolution of field effect transistors (FETs) has enabled the digital revolution which shapes the everyday lives of people all over the world. Currently, new materials and designs are investigated in pursuit of continuing the improvement of device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1202::e9d702a9c22102305c05c4b0c6e77a0d
https://orbit.dtu.dk/en/publications/9cb98317-9b66-47df-b01c-b7188e8d1582
https://orbit.dtu.dk/en/publications/9cb98317-9b66-47df-b01c-b7188e8d1582
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.