Zobrazeno 1 - 10
of 77
pro vyhledávání: '"Jegert, G."'
Autor:
Weinreich, W., Reiche, R., Lemberger, M., Jegert, G., Müller, J., Wilde, L., Teichert, S., Heitmann, J., Erben, E., Oberbeck, L., Schröder, U., Bauer, A.J., Ryssel, H.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1826-1829
Autor:
Dayu Zhou, Schroeder, U., Jin Xu, Heitmann, J., Jegert, G., Weinreich, W., Kerber, M., Knebel, S., Erben, E., Mikolajick, T.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Dec2010, Vol. 108 Issue 12, p124104, 5p, 1 Chart, 5 Graphs
Autor:
Zhou, Dayu, Schroeder, U., Jegert, G., Kerber, M., Uppal, S., Agaiby, R, Reinicke, M., Heitmann, J., Oberbeck, L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Aug2009, Vol. 106 Issue 4, p044104-1-044104-4, 4p, 6 Graphs
We assess the impact of structural relaxation of defects upon charging on trap-assisted tunneling in high- dielectric materials. ZrO 2/Al 2O 3/ZrO2 thin films are taken as an exemplary system. In our completely different approach, a first-principles
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::f60874bd51976b6a8fdf0c5937bb1a92
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/228861
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/228861
Autor:
Das, Aloke Kumar1 (AUTHOR) sai.aloke@gmail.com, Manik, N B1 (AUTHOR), Mandal, D K2 (AUTHOR), Rkashit, S1 (AUTHOR), Mandal, R3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Bulletin of Materials Science. Jun2024, Vol. 47 Issue 2, p1-11. 11p.
Leakage currents in TiN/high-K-ZrO2/TiN capacitors were simulated by using a novel kinetic Monte Carlo algorithm specially designed to describe tunneling transport of charge carriers in high-K dielectrics, including defect-assisted transport mechanis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::308b14c4833ff8a3e05f06d8cab27b7a
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/224406
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/224406
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bareiss M; Institute for Nanoelectronics, Technische Universität München, Arcisstrasse 21, 80333 Munich, Germany. Bareiss@nano.ei.tum.de, Ante F, Kälblein D, Jegert G, Jirauschek C, Scarpa G, Fabel B, Nelson EM, Timp G, Zschieschang U, Klauk H, Porod W, Lugli P
Publikováno v:
ACS nano [ACS Nano] 2012 Mar 27; Vol. 6 (3), pp. 2853-9. Date of Electronic Publication: 2012 Mar 08.