Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"Jech, Markus"'
Autor:
Cvitkovich, Lukas, Waldhör, Dominic, El-Sayed, Al-Moatassem, Jech, Markus, Wilhelmer, Christoph, Grasser, Tibor
Publikováno v:
Appl. Surf. Sci. 610 (2023) 155378
Silicon together with its native oxide SiO$_2$ was recognized as an outstanding material system for the semiconductor industry in the 1950s. In state-of-the-art device technology, SiO$_2$ is widely used as an insulator in combination with high-$k$ di
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.13954
Autor:
Cvitkovich, Lukas, Waldhör, Dominic, El-Sayed, Al-Moatassem, Jech, Markus, Wilhelmer, Christoph, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Applied Surface Science 1 February 2023 610
Autor:
Milardovich, Diego, Waldhoer, Dominic, Jech, Markus, El-Sayed, Al-Moatasem Bellah, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Solid State Electronics February 2023 200
Autor:
Wilhelmer, Christoph, Waldhoer, Dominic, Jech, Markus, El-Sayed, Al-Moatasem Bellah, Cvitkovich, Lukas, Waltl, Michael, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2022 139
Autor:
Sharma, Prateek, Tyaginov, Stanislav, Jech, Markus, Wimmer, Yannick, Rudolf, Florian, Enichlmair, Hubert, Park, Jong-Mun, Ceric, Hajdin, Grasser, Tibor
Publikováno v:
In Solid State Electronics January 2016 115 Part B:185-191
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tyaginov, Stanislav, Makarov, Alexander, Bury, Erik, Vandemaele, Michiel, Jech, Markus, Grill, Alexander, Keersgieter, An De, Linten, Dimitri, Kaczer, Ben
We develop and validate a physics-based modeling framework for coupled hot-carrier degradation (HCD) and self-heating (SH). Within this framework, we obtain the lattice temperature distribution throughout the device by solving the lattice heat flow e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bd99aa0755f7fc320087b701e19d5ee4