Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Jean Chevrier"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 38:309-316
Hetero-epitaxial growth of ZnSe on semi-insulating GaAs substrates has been studied, using the (H 2 ZnSe) and (H 2 HCl ZnSe) vapour growth technique. Single crystals layers of 1–25 μm in thickness were obtained at growth rates of 0.5−3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1fe2cb1b00f503cb11aef297d1794f4
https://doi.org/10.1016/0022-0248(77)90351-7
https://doi.org/10.1016/0022-0248(77)90351-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.