Zobrazeno 1 - 6 of 6 pro vyhledávání: '"Janssen, K. T. F."'
1
Akademický článek
Transient diffusion of ion-implanted B in Si: Dose, time, and matrix dependence of atomic and electrical profiles.
Autor: Cowern, N. E. B., Janssen, K. T. F., Jos, H. F. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1990, Vol. 68 Issue 12, p6191, 8p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Composition analysis of thin AlxGa1−xAs layers with TEM and SIMS.
Autor: de Jong, A. F., Janssen, K. T. F.
Publikováno v: Journal of Materials Research; 03/01/1990, Vol. 5 Issue 3, p578-586, 9p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Post-implantation as an aid in scale calibration for SIMS depth profiling.
Autor: Zalm, P. C., Janssen, K. T. F., Fontijn, G. M., Vriezema, C. J.
Publikováno v: Surface & Interface Analysis: SIA; 1989, Vol. 14 Issue 11, p781-786, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Periodical
Application of SIMS in semiconductor research
Autor: Boudewijn, P. R., Janssen, K. T. F.
Publikováno v: Fresenius' Journal of Analytical Chemistry; January 1987, Vol. 329 Issue: 2-3 p215-219, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Field-induced segregation effects during secondary-ion mass spectrometry depth profiling of Cu and Na implanted in silicon.
Autor: Vriezema, C. J., Janssen, K. T. F., Boudewijn, P. R.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/15/1989, Vol. 54 Issue 20, p1981, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje