Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Janet Wang-Ratkovic"'
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 41:649-660
In this paper the underlying mechanisms that produce the cross-over in worst-case hot-carrier stress condition observed at room temperature in some deep submicron lightly doped drain (LDD) NMOS devices and at cryogenic temperatures for devices with l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec6501e7cb2c0dcceab11f4cd3f4f844
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00007-5
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00007-5
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 37:1747-1754
This work shows that the worst-case gate voltage stress condition for LDD nMOSFETs is a strong function of the channel length, drain voltage, and operating temperature. A new cross-over behavior of the worst-case gate voltage condition is reported at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4393e1cbc9e1caef78f6f473b2eae38f
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00153-4
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00153-4
Publikováno v:
1997 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 35th Annual.
This work shows that the worst-case gate voltage stress condition for LDD nMOSFETs is a strong function of the channel length, drain voltage, and operating temperature. A new cross-over behavior of the worst-case gate voltage condition is reported at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2143ad7475e9002b3ca57d1204674761
https://doi.org/10.1109/relphy.1997.584280
https://doi.org/10.1109/relphy.1997.584280
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.