Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"James Werking"'
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 58:2003-2005
Reactive ion etching (RIE) of InAs, InP, GaAs, and GaSb using CH4/H2 mixtures has been studied to determine the resulting etch profiles and surface morphologies, as well as the dependence of etch rates on cathode temperature, chamber pressure, and el
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93ced8a4c3815b6e72935b3806546bf5
https://doi.org/10.1063/1.105046
https://doi.org/10.1063/1.105046
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 57:905-907
We have fabricated planar heterostructure field‐effect transistors with InAs quantum well channels and AlSb barrier layers. Argon implantation was used to form a damaged layer, which resulted in partial device to device isolation. A 1.5 μm gate de
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::541dc9afd55389ab7d048409d0e17d34
https://doi.org/10.1063/1.103400
https://doi.org/10.1063/1.103400
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
A new measurement technique for process monitoring that consists of observing current or charge transients after each voltage step during cyclic voltage sweeps is presented. This technique provides a quick turn-around alternative to monitoring with f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5133ef10ef0b4f2a25a9293064f02d14
https://doi.org/10.1117/12.284670
https://doi.org/10.1117/12.284670
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Results on electrical characterization of test structures with fluorosilicate glass (FSG) deposited in fourdifferent chemical vapor deposition (CVD) tools are reported. Data demostrate high sensitivity of theelectrical properties of FSG to metal patt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bce701ddf47e6e6fcbe9f2346fb233dc
https://doi.org/10.1117/12.284639
https://doi.org/10.1117/12.284639
Autor:
Naftali Lustig, Brett Baker-ONeal, Philip Flaitz, Theodorus Standaert, Patrick DeHaven, Andrew Simon, Tze-Man Ko, Stephan Grunow, James Werking, Stephan Greco, Sujatha Sankaran, Hariklia (Lili) Deligianni, Daniel Edelstein
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :411-411
not Available.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f6576cc2f9867f8ec2cb720bee7406b1
https://doi.org/10.1149/ma2006-01/10/411
https://doi.org/10.1149/ma2006-01/10/411
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.