Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"James C. Erskine"'
Publikováno v:
Automotive Power Electronics.
A normally-on MOSFET structure called j-MOS for automotive electronic systems applications is discussed. These devices are built on silicon-on-insulator (SOI) and in bulk silicon and can be integrated as a smart power circuit element. The lowest on-r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66a8c9a36b99a9ce8d4c0bdb62a973fe
https://doi.org/10.1109/ape.1989.97147
https://doi.org/10.1109/ape.1989.97147
Autor:
John D. McGervey, James C. Erskine
Publikováno v:
Physical Review. 151:615-620
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf4e3044e0d3dc6053d0eead5c6260ed
https://doi.org/10.1103/physrev.151.615
https://doi.org/10.1103/physrev.151.615
Autor:
James C. Erskine, William H. Dumbaugh, Francis P. Fehlner, Marie I. Harrington, John R. Troxell, Roger A. Miller
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 7:597-599
A new polycrystalline silicon thin-film transistor (TFT) technology using a potentially low-cost glass substrate is reported. Transistors are made using modified conventional n-channel MOS processes at temperatures of 800°C or less, with a final hyd
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d838a6d319e2c883dcb731ce2f753923
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26486
https://doi.org/10.1109/edl.1986.26486
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 10:380-382
The fabrication of trench j-MOS transistors in bulk silicon, so that they can be operated in either a three-terminal or a four-terminal mode, is presented. When the transistors are operated in accumulation mode, the specific on-resistance is 0.8 m Om
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::778b1680ed2fdb0e05a3969b26984178
https://doi.org/10.1109/55.31763
https://doi.org/10.1109/55.31763
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The automobile instrument panel is undergoing a revolutionary transition from mechanical and electromechanical displays to all-electronic displays. This is not an easy transition in that the "ideal" automotive display does not exist and all principal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b95b0e98c153f0525801061d461c795c
https://doi.org/10.1117/12.947715
https://doi.org/10.1117/12.947715
Autor:
Marie I. Harrington, Francis P. Fehlner, William H. Dumbaugh, James C. Erskine, Roger A. Miller, John R. Troxell
Publikováno v:
MRS Proceedings. 107
As-deposited polycrystalline silicon and argon ion laser recrystallized silicon thin film transistors (TFT's) have been fabricated on Corning Code 1729 glass substrates. This novel aluminosilicate glass has an expansion coefficient matched to that of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60a86c958cfa9f8fb679ef631a794029
https://doi.org/10.1557/proc-107-329
https://doi.org/10.1557/proc-107-329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.