Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"Jaeger, Daniel"'
Autor:
Gibbons, Ryan C.1 ryan.gibbons@tuhs.temple.edu, Jaeger, Daniel J.1, Berger, Matthew2, Magee, Mark1, Shaffer, Claire3, Costantino, Thomas G.1
Publikováno v:
Western Journal of Emergency Medicine: Integrating Emergency Care with Population Health. Mar2024, Vol. 25 Issue 2, p251-257. 7p.
Autor:
Jaeger, Daniel J.
Publikováno v:
Online version of thesis.
Thesis (M.S.)--Rochester Institute of Technology, 2006.
Typescript. Includes bibliographical references (leaves 145-146).
Typescript. Includes bibliographical references (leaves 145-146).
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1850/5194
Publikováno v:
In Geomorphology 1 April 2018 306:283-291
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Barth, Johannes ‡, Bergner, Sonja Verena ‡, Jaeger, Daniel ‡, Niehues, Anna ‡, Schulze, Stefan ‡, Scholz, Martin ‡, Fufezan, Christian ‡, §
Publikováno v:
In Molecular & Cellular Proteomics April 2014 13(4):969-989
Autor:
Höhner, Ricarda ‡, Barth, Johannes ‡, Magneschi, Leonardo ‡, Jaeger, Daniel ‡, Niehues, Anna ‡, Bald, Till ‡, Grossman, Arthur §, Fufezan, Christian ‡, ¶, Hippler, Michael ‡, ¶
Publikováno v:
In Molecular & Cellular Proteomics October 2013 12(10):2774-2790
Autor:
Flamm, Matthew H. *, Colace, Thomas V. *, Chatterjee, Manash S. *, Jing, Huiyan, Zhou, Songtao, Jaeger, Daniel, Brass, Lawrence F., Sinno, Talid, Diamond, Scott L.
Publikováno v:
In Blood 5 July 2012 120(1):190-198
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jianwei Peng, W. Ma, Rick Carter, Manoj Joshi, Michael V. Aquilino, Tabakman Keith, L. Lee, Xin Wang, Jaeger Daniel, W. Li, Man Gu, Wang Haiting, Owen Hu
Publikováno v:
Electronics Letters. 56:514-516
Low-dielectric constant (low-k) material is critical for advanced FinFET technology parasitic capacitance reduction to enable low-power and high-performance applications. Silicon Oxycarbonnitride (SiOCN) is one of the most promising low-k materials f
Autor:
Jaeger, Daniel1, Winkler, Anika2, Mussgnug, Jan H.1, Kalinowski, Jörn2, Goesmann, Alexander3, Kruse, Olaf1,4 olaf.kruse@uni-bielefeld.de
Publikováno v:
Biotechnology for Biofuels. 8/14/2017, Vol. 10, p1-34. 34p.