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Publikováno v:
Interfaces Científicas - Exatas e Tecnológicas. 4:144-159
Neste trabalho foi realizado um estudo teórico sobre o transporte de carga no semicondutor carbeto de silício na forma 4H-SiC dopado tipo p e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A pesquisa foi realizado utilizando-se uma equação d
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3351387364fb5f9aebc6309973a9a265
https://doi.org/10.17564/2359-4942.2020v4n1p144-159
https://doi.org/10.17564/2359-4942.2020v4n1p144-159
Autor:
Jackelinne Lares Vasconcelos, Clóves Gonçalves Rodrigues, José Elmo de Menezes, Marcos Lajovic Carneiro
Publikováno v:
REVISTA FOCO. 15:e345
Entre os vários politipos do carbeto de silício ( -SiC), o 4H-SiC é reconhecido como o semicondutor mais atraente para operação em dispositivos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura devido a seu maior gap e maior mo
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https://doi.org/10.54751/revistafoco.v15n2-006
https://doi.org/10.54751/revistafoco.v15n2-006