Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Ja. Vovk"'
Autor:
Wolfgang Skorupa, A.S. Tkachenko, Thoralf Gebel, I. N. Osiyuk, V. S. Lysenko, Lars Rebohle, Alexey Nazarov, I. P. Tyagulskii, Ja. Vovk, R.A. Yankov
Publikováno v:
Materials Science and Engineering B 124(2005), 458
We have studied the effect of plasma treatment on both the electroluminescent (EL) properties of Ge-implanted light-emitting metal-oxide–silicon (MOS) devices and the charge trapping processes occurring therein. Under optimum conditions of plasma t
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 105:61-64
In this paper we explore the charge trapping and transfer properties of a-Si:H(Er)/n-Si light-emitting heterodiodes. Using the methods of thermally activated current (TAC) spectroscopy and current–voltage (I–V) characteristics in the temperature
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :382-386
The paper is devoted to study of Er-related defects in electrical luminescence diode structures a-Si : H(Er)/c-n-Si, for which amorphous hydrogenated silicon film on crystalline Si substrate was fabricated both by plasma-enhanced chemical vapor depos
Publikováno v:
MRS Proceedings. 719
Defects relating to Er-doping of hydrogenated amorphous silicon films in amorphous/ crystalline (a-Si:H(Er) / n-Si) heterostructures used as light emitters were studied. Electrical parameters of the defects were evaluated by thermally activated curre
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.