Zobrazeno 1 - 10 of 14 243 pro vyhledávání: '"JUNCTION transistors"'
2
Akademický článek
The mechanism of the irradiation synergistic effect of silicon bipolar junction transistors explained by multiscale simulations of Monte Carlo and excited-state first-principle calculations.
Autor: Yang, Zeng-hui1,2 (AUTHOR) yangzenghui_mtrc@caep.cn, Liu, Yang1,2 (AUTHOR), An, Ning1,2 (AUTHOR), Chen, Xingyu1,2 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Chemical Physics. 7/21/2023, Vol. 159 Issue 3, p1-11. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The dependence of proton energy on the parametric degradation in silicon bipolar junction transistors.
Autor: Hegde, Vinayakprasanna N.1 (AUTHOR) vinayakpnh@gmail.com, Bharathi, M. N.2 (AUTHOR), Pradeep, T. M.3 (AUTHOR), Gnana Prakash, A. P.4 (AUTHOR)
Publikováno v: Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Jul/Aug2023, Vol. 178 Issue 7/8, p1012-1024. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Performance of piezoelectric semiconductor bipolar junction transistors and the tuning mechanism by mechanical loadings.
Autor: Yang, Yizhan1 (AUTHOR), Yang, Wanli1 (AUTHOR), Wang, Yunbo2 (AUTHOR), Zeng, Xiangbin2 (AUTHOR), Hu, Yuantai1 (AUTHOR) hudeng@263.net
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 4/14/2023, Vol. 133 Issue 14, p1-13. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Report
Characterization and Modeling of Silicon-on-Insulator Lateral Bipolar Junction Transistors at Liquid Helium Temperature
Autor: Zhang, Yuanke, Chen, Yuefeng, Zhang, Yifang, Xu, Jun, Luo, Chao, Guo, Guoping
Conventional silicon bipolars are not suitable for low-temperature operation due to the deterioration of current gain ($\beta$). In this paper, we characterize lateral bipolar junction transistors (LBJTs) fabricated on silicon-on-insulator (SOI) wafe
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/2309.09257
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Selective Electron Beam Patterning of Oxygen‐Doped WSe2 for Seamless Lateral Junction Transistors.
Autor: Ngo, Tien Dat1 (AUTHOR), Choi, Min Sup1 (AUTHOR), Lee, Myeongjin1 (AUTHOR), Ali, Fida1 (AUTHOR), Hassan, Yasir1 (AUTHOR), Ali, Nasir1 (AUTHOR), Liu, Song2 (AUTHOR), Lee, Changgu1,3 (AUTHOR), Hone, James2 (AUTHOR), Yoo, Won Jong1 (AUTHOR) yoowj@skku.edu
Publikováno v: Advanced Science. Sep2022, Vol. 9 Issue 26, p1-10. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
AC Characteristics of van der Waals Bipolar Junction Transistors Using an MoS 2 /WSe 2 /MoS 2 Heterostructure.
Autor: Yan, Zezhang1 (AUTHOR) yanzzh3@mail2.sysu.edu.cn, Xu, Ningsheng1 (AUTHOR), Deng, Shaozhi1 (AUTHOR) stsdsz@mail.sysu.edu.cn
Publikováno v: Nanomaterials (2079-4991). May2024, Vol. 14 Issue 10, p851. 7p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Leakage current induced erratic switching in Si avalanche bipolar junction transistors under overvoltage states.
Autor: Wen, Kaijun1 (AUTHOR), Liang, Lin1 (AUTHOR) lianglin@hust.edu.cn, Zhang, Ziyang1 (AUTHOR), Han, Lubin1 (AUTHOR), Yang, Zewei1 (AUTHOR)
Publikováno v: Journal of Applied Physics. 11/7/2023, Vol. 134 Issue 17, p1-11. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje