Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"JUILLAGUET, Sandrine"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Astié, Vincent, Klein, Felipe Wasem, Makhlouf, Houssin, Paillet, Matthieu, Huntzinger, Jean-Roch, Sauvajol, Jean-Louis, Zahab, Ahmed-Azmi, Juillaguet, Sandrine, Contreras, Sylvie, Voiry, Damien, Landois, Périne, Decams, Jean-Manuel
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 10/28/2024, Vol. 26 Issue 40, p25772-25779, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alassaad, Kassem, Soulière, Véronique, Cauwet, François, Peyre, Hervé, Carole, Davy, Kwasnicki, Pawel, Juillaguet, Sandrine, Kups, Thomas, Pezoldt, Jörg, Ferro, Gabriel
Publikováno v:
Acta Materialia 75 (2014) 219-226
In this work, we report on the addition of GeH4 gas during homoepitaxial growth of 4H-SiC by chemical vapour deposition. Ge introduction does not affect dramatically the surface morphology and defect density though it is accompanied with Ge droplets
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1407.3222
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 June 2012 348(1):91-96
Autor:
Marinova, Maya, Zoulis, Georgios, Robert, Teddy, Mercier, Frederic, Mantzari, Alkioni, Galben, Irina, Kim-Hak, Olivier, Lorenzzi, Jean, Juillaguet, Sandrine, Chaussende, Didier, Ferro, Gabriel, Camassel, Jean, Polychroniadis, Efstathios K.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 2009 404(23-24):4727-4730
Autor:
CONTRERAS, Sylvie, KONCZEWICZ, Leszek, JUILLAGUET, Sandrine, PEYRE, Herve, Al khalfioui, Mohamed, Matta, Samuel, Leroux, Mathieu, Damilano, Benjamin, GIL, Bernard, Brault, Julien
Publikováno v:
International Workshop on Nitride Semiconductor
International Workshop on Nitride Semiconductor, Nov 2018, Kanazawa, Japan
International Workshop on Nitride Semiconductor, Nov 2018, Kanazawa, Japan
Effect of Temperature on Electrical Transport Properties of MBE grown Mg-doped GaN and AlGaN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e304c6bc54fbc88244e3267971e2fc01
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01937531
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01937531