Zobrazeno 1 - 10
of 154
pro vyhledávání: '"JOISHI, C"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Manikanthababu, N., Joishi, C., Biswas, J., Prajna, K., Asokan, K., Vas, J. V., Medwal, R., Meena, R. C., Lodha, S., Singh, R.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; 2023, Vol. 70 Issue: 7 p3711-3717, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IndraStra Global.
We report positive bias temperature instability data in replacement metal gate Ge n-channel metaloxide-semiconductor field-effect transistors with an in situ gate stack employing an ultrathin (5 angstrom), stable Al2O3 interlayer (IL) using ultrafast
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::a0250b896ec77dc979b132e5364a77e4
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/100/23249
http://dspace.library.iitb.ac.in/xmlui/handle/100/23249
Publikováno v:
IndraStra Global.
In this work, we demonstrate modulation-doped beta-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 double heterostructure field effect transistors. The maximum sheet carrier density for a two-dimensional electron gas (2DEG) in a beta-(AlxGa1-x)(2)O-3/Ga2O3 heterostructure is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::2053c485505f6ef8f7c754bbecb0b341