Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"JFET doping concentration"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shengnan Zhu, Tianshi Liu, Junchong Fan, Hema Lata Rao Maddi, Marvin H. White, Anant K. Agarwal
Publikováno v:
Materials; Volume 15; Issue 17; Pages: 5995
650 V SiC planar MOSFETs with various JFET widths, JFET doping concentrations, and gate oxide thicknesses were fabricated by a commercial SiC foundry on two six-inch SiC epitaxial wafers. An orthogonal P+ layout was used for the 650 V SiC MOSFETs to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2698cf26d8411e6337f84b47b3f52b5b
https://doi.org/10.3390/ma15175995
https://doi.org/10.3390/ma15175995
