Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"JFET doping concentration"'
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhu, Shengnan1 (AUTHOR) zhu.2670@osu.edu, Liu, Tianshi1 (AUTHOR), Fan, Junchong1 (AUTHOR), Maddi, Hema Lata Rao1 (AUTHOR), White, Marvin H.1 (AUTHOR), Agarwal, Anant K.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Materials (1996-1944). Sep2022, Vol. 15 Issue 17, p5995. 11p.
Autor:
Shengnan Zhu, Tianshi Liu, Junchong Fan, Hema Lata Rao Maddi, Marvin H. White, Anant K. Agarwal
Publikováno v:
Materials; Volume 15; Issue 17; Pages: 5995
650 V SiC planar MOSFETs with various JFET widths, JFET doping concentrations, and gate oxide thicknesses were fabricated by a commercial SiC foundry on two six-inch SiC epitaxial wafers. An orthogonal P+ layout was used for the 650 V SiC MOSFETs to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2698cf26d8411e6337f84b47b3f52b5b
https://doi.org/10.3390/ma15175995
https://doi.org/10.3390/ma15175995
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; Feb2018, Vol. 39 Issue 2, p248-251, 4p
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters; May2022, Vol. 43 Issue 5, p785-788, 4p
Autor:
Agarwal, Aditi, Baliga, B. Jayant
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Mar2022, Vol. 69 Issue 3, p1233-1241, 9p
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Sep2021, Vol. 36 Issue 9, p1-7, 7p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Oct2018, Vol. 65 Issue 10, p4455-4461, 7p
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences; 8/21/2018, Vol. 201, pN.PAG-N.PAG, 3p