Zobrazeno 1 - 10
of 196
pro vyhledávání: '"J.Y. Tsao"'
Autor:
J.Y. Tsao, R.G. Abbott, D.C. Crowder, S. Desai, R.P.M. Dingreville, J.E. Fowler, A. Garland, P.P. Iyer, J. Murdock, S.T. Steinmetz, K.A. Yarritu, C.M. Johnson, D.J. Stracuzzi
Publikováno v:
Journal of Creativity, Vol 34, Iss 2, Pp 100077- (2024)
We present a high-level architecture for how artificial intelligences might advance and accumulate scientific and technological knowledge, inspired by emerging perspectives on how human intelligences advance and accumulate such knowledge. Agents adva
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0cdd308a8574638a3a761ebee59c3ae
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.Y. Tsao
Publikováno v:
Computational Materials Science. 6:140-148
This paper reviews the use of line-of-sight mass spectrometry for in situ monitoring during MBE of III/V heterostructures. This technique is not yet widely used, in part because of the scarcity of effusion cell ports in most MBE reactors devoted to d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef9a66dcdf4b8804b36376e7fbee0b88
https://doi.org/10.1016/0927-0256(96)00028-6
https://doi.org/10.1016/0927-0256(96)00028-6
Autor:
J.Y. Tsao
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 110:595-603
We analyze the thermodynamic equilibria between the solid, liquid and vapor phases of the In-Sb system. From this analysis, we deduce the “window” in pressure and temperature within which molecular beam epitaxy of the InSb zincblende compound is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ec8ce590421ec227c180cc98d59c455
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90297-i
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90297-i
This report documents the results of a laboratory-directed research and development (LDRD) project on control and agile manufacturing in the critical metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and molecular beam epitaxy (MBE) materials growth pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7c7bdb59b5d2ede185f93463c4ef6a70
https://doi.org/10.2172/3559
https://doi.org/10.2172/3559
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jan H. C. Sedlacek, D. J. Silversmith, R. W. Mountain, J.Y. Tsao, Daniel J. Ehrlich, W.S. Graber
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 5:32-35
Laser direct-write Al etching and poly-Si deposition have been adapted to the mask-free alteration of simple gate-array test circuits. Simple test structures on commercial CMOS chips have been reconfigured with no degradation in device or circuit per
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8aa509fac2ffa067975f184229e66624
https://doi.org/10.1109/edl.1984.25822
https://doi.org/10.1109/edl.1984.25822
Autor:
D.J. Ehrlich, J.Y. Tsao
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 68:176-187
The use of laser radiation to locally modify nucleation barriers to thin film growth is discussed. Examples are described in which UV laser photodeposition is used to directly pattern surface-altering monolayer or submonolayer films. The surface-alte
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1dda801b02bcfaacd60e7678762fb7c8
https://doi.org/10.1016/0022-0248(84)90414-7
https://doi.org/10.1016/0022-0248(84)90414-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.