Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"J.W.C. Veltkamp"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices, 32(9), 1757-1760
Amorphous silicon thin-film field-effect transistors have been made with a staggered electrode structure. In this structure we distinguish two separate contributions to the total contact resistance, namely, the Al/a-Si:H barrier itself and the bulk r
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.