Zobrazeno 1 - 10
of 1 151
pro vyhledávání: '"J.W. Shin"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 775-778 (2024)
In this work, we have investigated the conductance control of the metal-ferroelectrics-Si field-effect transistor (MFSFET) utilizing 5 nm thick ferroelectric nondoped $\rm HfO_{2}$ (FeND-HfO2) gate insulator. The Kr-plasma process is effective to dec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d05bcba54959459089c5030c8ccfe8fa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 Device Research Conference (DRC).
Publikováno v:
2022 Device Research Conference (DRC).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.