Zobrazeno 1 - 10
of 193
pro vyhledávání: '"J.W. Chai"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leslie John Harrison, Hway Chuan Kang, Chang Pang Chen, Bin Leong Ong, Hui Ru Tan, Eng Soon Tok, Weijie Ong, J.W. Chai, Shijie Wang, Zheng Zhang, Sheau Wei Ong, Jisheng Pan
Publikováno v:
Applied Surface Science. 420:523-534
Room temperature growth of HfO2 thin film on clean 2H-MoS2 via plasma-sputtering of Hf-metal target in an argon/oxygen environment was studied in-situ using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The deposited film was observed to grow akin to a lay
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ee3ebf677afd4130934f59c476ddcfb
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.05.097
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2017.05.097
Publikováno v:
Applied Surface Science. 376:236-240
In this work, Ga-doped Geranium (Ge) films have been grown on GaAs (100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Undesired pillar structures have been observed on the epilayers prepared at relatively lower temperatures. Energy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2681a9911644658927ddc5612cb09658
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.03.016
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.03.016
Autor:
Ming Yang, J.W. Chai, Martin Callsen, Jisheng Pan, Dongzhi Chi, Tong Yang, Yuan Ping Feng, Ting Ting Song, Shijie Wang, Jun Zhou
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry C. 120:9804-9810
The interfacial interaction between high-κ dielectrics and two-dimensional channel materials plays an important role in determining electronic properties of high-performance electronic devices. In this study, via first-principles calculations, we sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b37d23f68a9b7563b8fd9c8678d1582e
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b01576
https://doi.org/10.1021/acs.jpcc.6b01576
Publikováno v:
International Journal of Cardiology. 297:26
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7d88f96f8a09bd031af0b55d6ab6f47
https://doi.org/10.1016/j.ijcard.2019.11.072
https://doi.org/10.1016/j.ijcard.2019.11.072