Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"J.V. Subhas Chandra Bose"'
Autor:
J. Humphery, J.V. Subhas Chandra Bose, T.J. Pease, M.M. De Souza, G. Ensell, E.M. Sankara Narayanan
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 32:323-326
A new termination structure, which incorporates metal field plate over every alternate low doped p well ring is presented for planar power devices. This structure is designed to control the punch through voltage between rings to increase the blocking
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b0442840e3f980aa87f5eb276014f80
https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00004-0
https://doi.org/10.1016/s0026-2692(01)00004-0
Autor:
J.V. Subhas Chandra Bose, K. Vershinin, N. Luther King, O. Spulber, E.M. Sankara Narayanan, C.K. Ngw, M. Sweet, M.M. De Souza
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 45:127-132
The aim of this paper is to demonstrate, for the first time, the viability of the monolithic integration of low voltage components, such as n and p channel MOSFETs, onto a planar vertical MOS controlled power device. This approach paves the way for r
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50b98cde98e6762d05c98f184499ed5f
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00216-1
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00216-1
Publikováno v:
IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems. 148:79
A novel 1.2 kV, trench-planar insulated gate bipolar transistor (TPIGBT) is analysed in detail using numerical modelling techniques to evaluate the influence of the injection-enhancement (IE) effect. A major innovative aspect of the device is that th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::edbd64d3c5cdd2b8e86b1ed7658d04a3
https://doi.org/10.1049/ip-cds:20010294
https://doi.org/10.1049/ip-cds:20010294
Autor:
M. Sweet, E.M. Sankara Narayanan, J.V. Subhas Chandra Bose, L. Ngwendson, K. Vershinin, M.M. De Souza, O. Spulber
Publikováno v:
IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems. 148:75
For the first time, the authors demonstrated a new MOS gated thyristor called the clustered insulated gate bipolar transistor (CIGBT), which is formed by clustering power MOSFET cathode cells within common n- and p-wells. The n- and p-wells also prov
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2ec8890880253647ee57c6e600dd549e
https://doi.org/10.1049/ip-cds:20010168
https://doi.org/10.1049/ip-cds:20010168
Autor:
O. Spulber, N. Luther-King, M. Sweet, E.M. Sankara Narayanan, M.M. De Souza, J.V. Subhas Chandra Bose, K. Vershinin
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
The aim of this paper is to evaluate the performance a new power semiconductor device called the Clustered Insulated Gate Bipolar Transistor (CIGBT) for high power application. The Clustered IGBT belongs to a new family of MOS controlled power device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ae90d2db3b0800bda390d3fc3b7c6d6e
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0034452662&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0034452662&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.