Zobrazeno 1 - 10
of 188
pro vyhledávání: '"J.T. Armstrong"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C.D. Scarfe, W.I. Hartkopf, J.T. Armstrong, F.C. Fekel, P. Lampens, J.F. Ling, R.D. Mathieu, M.J. Valtonen, H. Zinnecker
Publikováno v:
Transactions of the International Astronomical Union. 25:224-229
Autor:
J.T. Armstrong
Publikováno v:
International Astronomical Union Colloquium. 135:492-501
By improving on the angular resolution possible with conventional telescopes, speckle interferometry has been adding to the list of known masses, resolving binaries with separations of 30 mas. Interferometry with separate apertures offers the possibi
Autor:
C.A. Hummel, J.T. Armstrong
Publikováno v:
Symposium - International Astronomical Union. 158:410-412
The spectroscopic binary observing program of the Mark III Optical Interferometer has produced four published orbits and 22 preliminary orbits. The mean (formal) precision is 0.3% for measurements of sin i and 0.7% for measurements of the semimajor a
Autor:
R.B. Marinenko, S. M. Bedair, N.A. El-Masry, John C. Roberts, Lawrence H. Robins, Edwin L. Piner, J.C. Woicik, K.E. Miyano, Albert J. Paul, C. A. Parker, S.M. Donovan, Stephen J. Pearton, W. R. Thurber, C. E. Bouldin, Mark D. Vaudin, M.J. Reed, J.T. Armstrong
Publikováno v:
2000 IEEE International Symposium on Compound Semiconductors. Proceedings of the IEEE Twenty-Seventh International Symposium on Compound Semiconductors (Cat. No.00TH8498).
The structural and optical properties of indium gallium nitride (In/sub x/Ga/sub 1-x/N) films with 0.04
Autor:
P.M. Amirtharaj, L.H. Robins, J.G. Pellegrino, A.J. Paul, J.T. Armstrong, D. Chandler-Horowitz, R.B. Marinenko, K.A. Bertness
Publikováno v:
2000 Digest of the LEOS Summer Topical Meetings. Electronic-Enhanced Optics. Optical Sensing in Semiconductor Manufacturing. Electro-Optics in Space. Broadband Optical Networks (Cat. No.00TH8497).
We describe preliminary determinations of AlGaAs layer composition using in situ optical reflectance spectroscopy (ORS) data. RHEED oscillations are used to independently determine the composition of the AlGaAs layers. The results are compared with e
Autor:
J.A. Small, J.T. Armstrong
Publikováno v:
Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America. 54:496-497
In conventional microprobe analysis, the samples and standards have a controlled geometry, i.e. flat polished, and infinitely large with respect to the electron beam interaction volume. As a result, the measured x-ray intensities for the analyzed ele
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.