Zobrazeno 1 - 10
of 251
pro vyhledávání: '"J.S. Weiner"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Siberian Medical Review. :56-60
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f838081f426f26953490e1af8482ec87
https://doi.org/10.20333/2500136-2017-3-56-60
https://doi.org/10.20333/2500136-2017-3-56-60
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Boutet, P. Lopez, Maurizio Moretto, Amit Singh, J.S. Weiner, Yves Baeyens, Shahriar Shahramian, Bahram Jalali, P. Roux
Publikováno v:
2017 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC).
In this paper we present a chip-set of 4 wideband SiGe BiCMOS transceivers optimized for the stringent specifications of various microwave links in the 5–44 GHz range. Each receiver and transmitter covers full frequency bands of 5.6–8.5 GHz, 10
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eb275e9a7696adf90f56f686d80ce639
https://doi.org/10.1109/rfic.2017.7969096
https://doi.org/10.1109/rfic.2017.7969096
Autor:
Yves Baeyens, Ricardo Aroca, Shahriar Shahramian, Noriaki Kaneda, J.S. Weiner, Young-Kai Chen, Jeffrey Lee
Publikováno v:
2015 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS).
This paper describes the design, implementation and the first real-time optical link demonstration of a 112Gb/s (56GBaud) 4-PAM transceiver chipset in 0.18µm SiGe BiCMOS technology. The transmitter IC is capable of generating 4-PAM signals as large
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a94658dd50379619d2d19046abfa0bb8
https://doi.org/10.1109/csics.2015.7314464
https://doi.org/10.1109/csics.2015.7314464
Autor:
Jeffrey H. Sinsky, Noriaki Kaneda, Filipe Jorge, Yves Baeyens, Lawrence L. Buhl, Agnieszka Konczykowska, Ricardo Aroca, Jeffrey Lee, Shahriar Shahramian, J.S. Weiner, Jean-Yves Dupuy, Ut-Va Koc, Young-Kai Chen, Timo Pfau
Publikováno v:
2015 European Conference on Optical Communication (ECOC).
A real-time 56-GBaud PAM-4 serial optical transmission link over 2km SSMF is presented using in-house developed SiGe PAM-4 driver and clock-and-data recovery integrated circuits demonstrating BER values down to 2e-7.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b299f06b2320fcf9dfa4bd39cac5cd7c
https://doi.org/10.1109/ecoc.2015.7341667
https://doi.org/10.1109/ecoc.2015.7341667
Autor:
Andreas Leven, Jaesik Lee, J. Frackoviak, Young-Kai Chen, Wei-Jer Sung, Y. Yang, J.S. Weiner, Yves Baeyens, Rose Kopf
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 38:1533-1539
This paper presents a 6-b 12-GSample/s track-and-hold amplifier (THA) fabricated in an InP-InGaAs-InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT) technology. The THA is intended for the front end of a high-speed analog-to-digital converter in a d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cd304c7008382d2f2248ae6a492e6123
https://doi.org/10.1109/jssc.2003.815926
https://doi.org/10.1109/jssc.2003.815926
Autor:
Y. Yang, C. Chen, Vincent Houtsma, George E. Georgiou, Young-Kai Chen, P. Paschke, Andreas Leven, Chun-Ting Liu, Yves Baeyens, Rose Fasano Kopf, Q. Lee, J.S. Weiner, Lay-Lay Chua
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 2:1152-1159
The combination of device speed (f/sub T/, f/sub max/ > 150 GHz) and breakdown voltage (V/sub bceo/ > 8 V) makes the double heterojunction bipolar InP-based transistor (D-HBT) an attractive technology to implement the most demanding analog functions
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e819925c300820382e0e8618e5ec18ed
https://doi.org/10.1109/jssc.2002.801188
https://doi.org/10.1109/jssc.2002.801188
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :362-365
We have fabricated Al 0.48 In 0.52 AsIn 0.53 Ga 0.47 As HEMTs using argon implant isolation with rapid thermal annealing that have device-to-device leakage current similar to that measured for mesa-isolated HEMTs. The argon implant-isolated Al 0.48 I
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ceb85df43c2f10494630c80698efaf0
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00722-9
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)00722-9