Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"J.S. Shy"'
Autor:
C.H. Diaz, K.L. Young, J.H. Hsu, J.C.H. Lin, C.S. Hou, C.T. Lin, J.J. Liaw, C.C. Wu, C.W. Su, C.H. Wang, J.K. Ting, S.S. Yang, K.Y. Lee, S.Y. Wu, C.C. Tsai, H.J. Tao, S.M. Jang, S.L. Shue, H.C. Hsieh, Y.Y. Wang, C.C. Chen, S.C. Yang, S. Fu, S.Z. Chang, T.C. Lo, J.Y. Wu, J.S. Shy, C.W. Liu, S.H. Chen, B.L. Lin, B.K. Liew, T. Yen, C.H. Yu, Y.C. Chao, M.S. Liang, C. Wang, J.Y.C. Sun
Publikováno v:
1999 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.99CH36325).
This paper describes a leading-edge 0.18 /spl mu/m CMOS logic foundry technology. Very aggressive design rules and borderless contacts render a 4.4 /spl mu/m/sup 2/ embedded (synchronous cache) 6T SRAM cell demonstrated in a 1 Mb vehicle with very hi
Autor:
C.H. Ho, C.H. Chen, R.Y. Chang, C.H. Yu, L. Chen, S.M. Jang, J.K. Ting, H.J. Tao, S.L. Sue, R.Y. Shiue, Y.S. Ho, J.W. Weng, C.S. Hou, B.K. Liew, Candace Su-Jung Tsai, S.C. Sun, J.S. Shy, K.B. Cheng, C.C. Tu, Y.Y. Wang, T.Y. Chu, S.C. Yang, P.S. Wang, C.C. Tsai, M.H. Chang, T.N. Yen, Y.H. Chen, H.C. Hsieh, J.H. Hsu, Y.C. Huang, J.Y. Wu, K.H. Pan, J.Y.C. Sun, C.W. Liu
Publikováno v:
1998 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers (Cat. No.98CH36216).
Summary form only given. A multiple-Vt high performance, high density and highly manufacturable 0.25 /spl mu/m CMOS technology with a shallow trench isolation process has been successfully developed. Five metal layers with oxide CMP planarization, et
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.