Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"J.R. Mcmacken"'
Autor:
C.P. Chang, W.Y.C. Lai, E.J. Lloyd, F.P. Klemens, K.P. Cheung, Philip W. Diodato, J. Frackoviak, M. Oh, R. Liu, J.F. Miner, Yi Ma, Hem M. Vaidya, Allen G. Timko, F. Li, J.R. Mcmacken, K.R. Stiles, J.I. Colonell, C.S. Pai, James T. Clemens, H.L. Maynard, C.T. Liu
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
Multiple t/sub OX/ is thoroughly investigated for nitrogen-implanted gate oxides with the optimization of Q/sub BD/ and a demonstration of 2 GHz counters. Furnace growth at 800/spl deg/C, 850/spl deg/C, and 900/spl deg/C is compared with rapid-therma
Publikováno v:
SISPAD '97. 1997 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. Technical Digest.
A model for the phosphorus dose loss effect is developed and incorporated into the process simulator PROPHET. The dose loss model is applied consistently with the Transient Enhanced Diffusion and the segregation models in PROPHET to provide doping pr
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.