Knihovna AV ČR, v. v. i.
  • Odhlásit
  • Přihlášení
  • Jazyk
    • English
    • Čeština
  • Instituce
    • Knihovna AV ČR
    • Souborný katalog AV ČR
    • Archeologický ústav Brno
    • Archeologický ústav Praha
    • Astronomický ústav
    • Biofyzikální ústav
    • Botanický ústav
    • Etnologický ústav
    • Filosofický ústav
    • Fyzikální ústav
    • Fyziologický ústav
    • Geofyzikální ústav
    • Geologický ústav
    • Historický ústav
    • Masarykův ústav
    • Matematický ústav
    • Orientální ústav
    • Psychologický ústav
    • Slovanský ústav
    • Sociologický ústav
    • Ústav analytické chemie
    • Ústav anorganické chemie
    • Ústav pro českou literaturu
    • Ústav dějin umění
    • Ústav fyziky atmosféry
    • Ústav fotoniky a elektroniky
    • Ústav fyzikální chemie J. H.
    • Ústav fyziky materiálů
    • Ústav geoniky
    • Ústav pro hydrodynamiku
    • Ústav chemických procesů
    • Ústav informatiky
    • Ústav pro jazyk český
    • Ústav jaderné fyziky
    • Ústav makromolekulární chemie
    • Ústav pro soudobé dějiny
    • Ústav přístrojové techniky
    • Ústav státu a práva
    • Ústav struktury a mechaniky hornin
    • Ústav teoretické a aplikované mechaniky
    • Ústav teorie informace a automatizace
    • Ústav výzkumu globální změny
Pokročilé vyhledávání
  • Domovská stránka
  • Vyhledávání: "J.R. Mcmacken"
  • Navrhnout nákup titulu
Zobrazeno 1 - 8 of 8 pro vyhledávání: '"J.R. Mcmacken"'
1
Multiple gate oxide thickness for 2 GHz system-on-a-chip technologies
Autor: C.P. Chang, W.Y.C. Lai, E.J. Lloyd, F.P. Klemens, K.P. Cheung, Philip W. Diodato, J. Frackoviak, M. Oh, R. Liu, J.F. Miner, Yi Ma, Hem M. Vaidya, Allen G. Timko, F. Li, J.R. Mcmacken, K.R. Stiles, J.I. Colonell, C.S. Pai, James T. Clemens, H.L. Maynard, C.T. Liu
Publikováno v: International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
Multiple t/sub OX/ is thoroughly investigated for nitrogen-implanted gate oxides with the optimization of Q/sub BD/ and a demonstration of 2 GHz counters. Furnace growth at 800/spl deg/C, 850/spl deg/C, and 900/spl deg/C is compared with rapid-therma
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5e8dafc03aaaee2dd94b48aa33cdbfb7
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746427
Zobrazit plný text záznamu
2
Modeling the effect of phosphorus dose loss at the SiO/sub 2/ interface on CMOS device characteristics
Autor: H.-H. Vuong, C.S. Rafferty, J.R. McMacken, J. Ning, S. Chaudhry
Publikováno v: SISPAD '97. 1997 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. Technical Digest.
A model for the phosphorus dose loss effect is developed and incorporated into the process simulator PROPHET. The dose loss model is applied consistently with the Transient Enhanced Diffusion and the segregation models in PROPHET to provide doping pr
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::392be874a4922425e051d81d565df602
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621342
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

  • RSS
  • Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje
Pouze tištěné dokumenty
Zahrnout EIZ
  • 3 Konferenční materiály
  • 2 Akademické články
  • 1 Trade Publications
  • 2 cmos
  • 2 ion implantation
  • 2 materials science
  • 1 analog circuits
  • 1 analytical chemistry
  • 1 business
  • 1 business.industry
  • 1 chemistry
  • 1 chemistry.chemical_compound
  • 1 chemistry.chemical_element
  • 1 diffusion (business)
  • 1 dual gate
  • 1 electronic engineering
  • 1 gate oxide
  • 1 mosfet
  • 1 nitrogen
  • 1 nmos logic
  • 1 optoelectronics
  • 1 oxide
  • 1 pmos logic
  • 1 rapid thermal processing
  • 1 system on a chip
  • 1 transient (oscillation)
  • 1 transistor mismatch
  • 1 very-large-scale integration
  • 4 ieee
  • 1 american inst of physics
  • 1 institute of electrical and electronics engineers inc.
  • 1 ieee journal of solid-state circuits
  • 1 international conference on simulation of semiconductor processes and devices, sispad
  • 1 international electron devices meeting 1998. technical digest (cat. no.98ch36217)
  • 1 journal of vacuum science and technology b: microelectronics and nanometer structures
  • 1 microwave journal
  • 1 sispad '97. 1997 international conference on simulation of semiconductor processes and devices. technical digest
  • 1 technical digest - international electron devices meeting
  • 1 technical digest - international electron devices meeting, iedm
  • 6 Scopus®
  • 2 OpenAIRE

Možnosti vyhledávání

  • Tematická mapa
  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Abecední procházení

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
načítá se......