Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"J.R. Luyken"'
Autor:
J. Hartwich, M. Stadele, J.R. Luyken, Walter M. Weber, Erhard Landgraf, R. Kasmaier, Tarek Lutz, L. Risch, Walter Hansch, Michael Specht, Johannes Kretz, F. Hofmann, L. Dreeskornfeld, J.-P. Mazellier, G. Ilicali, W. Rosner
Publikováno v:
2005 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Planar double-gate field effect transistors with asymmetric (p++/n++) independent gates down to 55nm physical gate lengths are successfully fabricated. A fabrication concept, epi-before-bonding, is introduced and demonstrated to be highly successful
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7ea4bfb46cea47fe7c0f9b2f37bf5f5a
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563562
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563562
Autor:
F. Hofmann, Walter M. Weber, W. Rosner, L. Risch, Walter Hansch, S. Boz, Johannes Kretz, G. Ilicali, L. Dreeskornfeld, J. Hartwich, Erhard Landgraf, J.R. Luyken
Publikováno v:
2004 IEEE International SOI Conference (IEEE Cat. No.04CH37573).
In this work, LPCVD deposited TEOS, both densified (DT)/undensified (UDT) and structured/non-structured cases are systematically studied and optimized. We have investigated different oxide type bonding materials for layer transfer applications under
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b9c06e1591b82b74bc9d6d92b113dea
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391548
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391548
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.