Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"J.P. Reynard"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Denais, J. Todeschini, R.A. Bianchi, Damien Lenoble, Laurent Pain, Y. Laplanche, Franck Arnaud, H. Brut, M. Broekaart, Nicolas Planes, V. Vachellerie, M. Woo, A. Beverina, Pierre Morin, R. Difrenza, Bertrand Borot, C. Perrot, H. Leninger, Francois Wacquant, D. Barge, David Roy, F. Salvetti, D. Ceccarelli, N. Emonet, V. DeJonghe, P. Stolk, B. Tavel, B. Duriez, L. Vishnobulta, I. Guilmeau, Y. Loquet, Frederic Boeuf, T. Devoivre, N. Bicais, J.P. Reynard, M. Jurdit, K. Rochereau, R. Palla, F. Judong, M. Bidaud, P. Vannier, D. Reber
Publikováno v:
Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004..
A 65nm CMOS platform employing General Purpose (GP) and Low Power (LP) devices and 0.5 /spl mu/m/sup 2/ 6T-SRAM bit-cells was developed using both conventional design and low cost CMOS process flow incorporating a strained silicon solution. Fully wor
Autor:
A. Kakimoto, K. Barla, J.P. Reynard, C. Chaneliere, Jean-Luc Autran, K. Shimomura, H. Ushikawa, J. Michailos, A. Hiroe
Publikováno v:
MRS Proceedings. 592
Ultra-thin tantalum pentoxide (Ta2O5) layers of thicknesses ranging from 6 to 10 nm were deposited by low pressure chemical vapor deposition from Ta(OC2 H5)5 on rapid thermal nitrided silicon substrates. Films were annealed in UV-O3 at 450°C, in dry
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.