Zobrazeno 1 - 10
of 318
pro vyhledávání: '"J.P. Lu"'
Publikováno v:
Ceramics International. 48:36655-36669
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuelong Wang, Jianji Pan, X.W. Zheng, G. F. Chen, Cheng Wang, Lizhu Chen, Cheng Huang, J.P. Lu, X. Yi, J. Li, L.K. Pan, Yuanzhong Chen, Zengqing Guo, Yi Li, J-X. Lin, X.F. Xia, Chuanben Chen
Publikováno v:
Annals of Oncology. 30:v506
Background Immune checkpoint inhibitors (ICIs) elicits durable responses in non–small cell lung cancer (NSCLC), but only a fraction of patients responded. TP53 and ATM co-mutation may lead to genomic instability and hypermutation. However, the prev
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electrochimica Acta. 54:2610-2615
SnO2-carbon nanotubes (CNTs) composites were prepared by sol–gel method, and characterized by scanning electron microscopy and X-ray diffraction. Due to high stability in diluted acidic solution, SnO2-CNTs composites were selected as the catalyst s
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Wise, Shawn G. Thomas, Roger Loo, Andriy Hikavyy, Eddy Simoen, C. Claeys, J.P. Lu, Vladimir Machkaoutsan, Nobuyuki Naka, M. Bargallo Gonzalez, Peter Verheyen, Y. Okuno, Geert Eneman, Pierre Tomasini
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 11:285-290
The purpose of this paper is to evaluate the impact of the geometry of embedded Si 1− x Ge x source/drain junctions on the stress field. Stress simulations were performed using TSUPREM4 2D software to further investigate the elastic strain relaxati
Autor:
J.P. Lu, Eddy Simoen, B. Vissouvanadin, R. Wise, M. Bargallo Gonzalez, Peter Verheyen, N. Taleb, Matthias Bauer, Shawn G. Thomas, Vladimir Machkaoutsan, Roger Loo, C. Claeys
Publikováno v:
Applied Surface Science. 254:6140-6143
This work investigates the impact of various processing parameters on the leakage current of in situ P-doped Si 1− x C x embedded source/drain (S/D) junctions, i.e., the carbon content x (%) and the thermal budget used either before or after the se
Autor:
Hugo Bender, Roger Loo, J.P. Lu, Andriy Hikavyy, B. Vissouvanadin, Vladimir Machkaoutsan, Mohammad Kamruzzaman Chowdhury, Peter Verheyen, Pierre Tomasini, Cor Claeys, S.G Thomas, Eddy Simoen, R. Wise, J.W. Weijtmans, Mireia Bargallo Gonzalez
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 55:925-930
This paper studies the leakage current components in embedded Si1-x,Gex, source/drain (S/D) p+-n junctions, with different Ge contents, varying between 20% and 35%. In addition, the impact of performing a highly doped drain (HDD) implantation before