Zobrazeno 1 - 10
of 114
pro vyhledávání: '"J.M. Gaines"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Marshall, Paul F. Baude, Kwok Keung Law, G. M. Haugen, M. Buijs, K.W. Haberern, M. A. Haase, Tj. Miller, J.M. Gaines
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 43:49-54
We have studied the device properties of blue-green II–VI lasers pertaining to the issues of thermal effects, leakage current and lateral waveguiding. Improved heat sinking by epi-down mounting was found to double the device lifetime. Leakage, main
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::afadd8bf538ece9c865649c5495471e2
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01831-4
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(96)01831-4
Autor:
J.M. Gaines
Publikováno v:
Philips Journal of Research. 49:245-265
The paper presents the issues and challenges for molecular beam epitaxy (MBE) of the II–VI wide-bandgap semiconductors used for blue/green lasers. Use of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) addresses many of these challenges, permit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::807afb1b153f1bd0ae36153bbc1bd9b7
https://doi.org/10.1016/0165-5817(95)98699-x
https://doi.org/10.1016/0165-5817(95)98699-x
Autor:
J.M. Gaines
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 9:201-205
Observation of reflection high energy electron diffraction (RHEED) oscillations during molecular beam epitaxy (MBE) growth of ZnSxSe1−x from elemental selenium and compound ZnS sources is reported. Oscillations are readily observed and may be used
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e49be6d4a352169ffa18b2cf2c936d80
https://doi.org/10.1016/0921-5107(91)90172-r
https://doi.org/10.1016/0921-5107(91)90172-r
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.