Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J.L. Showell"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 35:1949-1957
A silicon germanium (SiGe) receiver IC is presented here which integrates most of the 10-Gb/s SONET receiver functions. The receiver combines an automatic gain control and clock and data recovery circuit (CDR) with a binary-type phase-locked loop, 1:
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed55618fb073da90164c93800f37dea7
https://doi.org/10.1109/4.890309
https://doi.org/10.1109/4.890309
Autor:
David L. Harame, Peter Schvan, Sorin P. Voinigescu, D. Marchesan, G.E. Babcock, Michael Schroter, J.L. Showell, M.C. Maliepaard
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 32:1430-1439
Fully scalable, analytical HF noise parameter equations for bipolar transistors are presented and experimentally tested on high-speed Si and SiGe technologies. A technique for extracting the complete set of transistor noise parameters from Y paramete
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f2401f4da7c6496d90bdb226bee9bd9
https://doi.org/10.1109/4.628757
https://doi.org/10.1109/4.628757
Autor:
G.E. Babcock, D. Marchesan, J.L. Showell, M. Herod, P. Schvan, M.C. Maliepaard, M. Cudnoch, D.J. Walkey, Sorin P. Voinigescu, M.G.M. Schumacher, R.A. Hadaway
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
Statistical transistor and transmission line models are developed and verified on Si bipolar and SiGe HBT technologies through 22 GHz. Universal best/worst process files are defined using principal component analysis and verified on the high frequenc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7414f387737d2e3c3dbf42e427e5c469
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746361
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746361
Autor:
K. Howlett, G. Fortier, M.A. Copeland, S. Sziiagyi, J.L. Showell, H. Tran, M. Herod, D. Marchesan, Sorin P. Voinigescu, P. Banens, J. Weng, P. Popescu
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2001 Custom Integrated Circuits Conference (Cat. No.01CH37169).
This paper presents a comparative overview of the performance of Si CMOS, SiGe BiCMOS and III-V HBT and FET technologies for 10-40 Gb/s fiber-optic applications. Active and passive device performance requirements, as well as on-chip isolation issues
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f251e467da68a522b65a61f4331c835
https://doi.org/10.1109/cicc.2001.929795
https://doi.org/10.1109/cicc.2001.929795
Publikováno v:
2000 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37056).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f013d78f512972669713178188cb03e4
https://doi.org/10.1109/isscc.2000.839687
https://doi.org/10.1109/isscc.2000.839687
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.