Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"J.L. Mauer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J.L. Mauer, R.E.A. Schelasin
Publikováno v:
Proceedings of 1993 Winter Simulation Conference - (WSC '93).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b20c7db5f0db210e84ef74f5c4df6006
https://doi.org/10.1109/wsc.1993.718324
https://doi.org/10.1109/wsc.1993.718324
Publikováno v:
Thirteenth IEEE/CHMT International Electronics Manufacturing Technology Symposium.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9267ea7523593f7370835234c262cb69
https://doi.org/10.1109/iemt.1992.639876
https://doi.org/10.1109/iemt.1992.639876
Autor:
W.G. Schwittek, J.K. DeBrosse, R. Schulz, Yuan Taur, M.L. Kerbaugh, C.W. Koburger, M. Jost, B. Davarik, Toshiharu Furukawa, J.L. Mauer, James D. Warnock
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
A novel planarization technique for variable size and pattern factors is presented. It is demonstrated that by the combination of reactive ion etching (RIE) and chemical mechanical polish (CMP), the process window is improved to the extent that the p
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1f40a755c69ee30a1217d28e1ebf056
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74228
https://doi.org/10.1109/iedm.1989.74228
Autor:
W. Noble, James D. Warnock, Charles W. Koburger, B. Davari, A.C. Megdanis, J.L. Mauer, Toshiharu Furukawa, Yuan Taur
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
A shallow trench isolation (STI) technology, RIE (reactive ion etching), CVD (chemical vapor deposition) oxide fill, and polarization are used to realize lithography-limited, submicron device and isolation dimensions. A novel boron diffusion techniqu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44ae3ad7cd74d96af18c8b1a1d15d705
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32759
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32759
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.