Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"J.L. Lentz"'
Autor:
K. Feder, Mark S. Hybertsen, J.M. Vandenberg, B.S. Falk, K. Evans-Lutterodt, Roosevelt People, John Michael Geary, Muhammad A. Alam, M.W. Focht, R.E. Leibenguth, Theo Siegrist, S.K. Sputz, J. Sheridan-Eng, G.J. Przybyiek, F.S. Walters, J.A. Grenko, L. E. Smith, J. Levkoff, K.G. Glogovsky, L.C. Luther, Michael Geva, D.M. Tennant, D. V. Stampone, S. Shunk, N.N. Tzafaras, L.J. Peticolas, L.J.P. Ketelsen, D.M. Romero, S. N. G. Chu, J.E. Johnson, J.L. Zilko, J.L. Lentz, T.L. Pernell, Joseph Michael Freund, E. D. Isaacs, Liming Zhang, W.A. Gault, C.L. Reynolds
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 36:641-648
We describe the design, fabrication, and performance of a five-element quarterwave-shifted distributed feedback laser array with monolithically integrated spot size converters intended for use as a multiple-wavelength source in dense wavelength-divis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::827719dc6e70de0e798f899d38116719
https://doi.org/10.1109/3.845717
https://doi.org/10.1109/3.845717
Autor:
T.L. Pernell, Joseph Michael Freund, J.L. Lentz, J.E. Johnson, Roosevelt People, S.K. Sputz, F.S. Walters, S.N.G. Chu, M.W. Focht, L. A. Gruezke, L.J.P. Ketelsen, D. V. Stampone, D.M. Romero, L.J. Peticolas, L. E. Smith, G.J. Przybylek, J.A. Grenko, N.N. Tzafaras, C.L. Reynolds, Muhammad A. Alam, K.G. Glogovsky, J.M. Vandenberg, L.C. Luther
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 6:19-25
We have demonstrated a semiconductor optical amplifier and electroabsorption modulator monolithically integrated with a novel dual-waveguide spot-size converter at the input for low-loss coupling to planar lightguide circuit silica waveguides or clea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4cbc79cc8c9e3a1db64fa555c20071bf
https://doi.org/10.1109/2944.826868
https://doi.org/10.1109/2944.826868
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 44:1529-1538
A new, comprehensive, physically-based, semiempirical, local model for transverse-field dependent electron and hole mobility in MOS transistors is presented. In order to accurately predict the measured relationship between the effective mobility and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::62d9013d9819d90e7264de162e1382af
https://doi.org/10.1109/16.622611
https://doi.org/10.1109/16.622611
Autor:
J.L. Lentz, Steven James Hillenius, P.M. Zeitzoff, M.R. Pinto, S.A. Eshraghi, H.-H. Vuong, Conor S. Rafferty
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 43:1144-1152
We present a model which simulates the trapping of arsenic and boron dopants at the silicon-silicon dioxide interface, and demonstrate that this model gives significantly more accurate doping profiles for a wide range of PMOS devices, as characterize
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b39dbd4640e5fd31ccccf4ed74085710
https://doi.org/10.1109/16.502426
https://doi.org/10.1109/16.502426
Autor:
D. Klotzkin, S. Roycroft, E. Michel, D.M. Romero, J.E. Johnson, S.K. Sputz, Muhammad A. Alam, K.G. Glogovsky, Mark S. Hybertsen, C.L. Reynolds, G. Ford, S. N. G. Chu, F.S. Walters, M. Chien, R. Liebenguth, M. Park, J.L. Lentz, R. Kinkel, J. Laquindinum, D. V. Stampone, A. Mazzatesta, Joseph Michael Freund, L.J.P. Ketelsen, J. Sheridan-Eng
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 2000. Technical Digest. IEDM (Cat. No.00CH37138).
Fabry-Perot and distributed feedback spot size converted 1.3 /spl mu/m lasers are demonstrated with competitive performance (/spl sim/10 mA threshold, >0.30 W/A slope) and narrow (16/spl times/9) far fields capable of coupling 45% of the output light
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::10c0d2c98ba19f679529db88a20d0855
https://doi.org/10.1109/iedm.2000.904390
https://doi.org/10.1109/iedm.2000.904390
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.