Zobrazeno 1 - 10
of 269
pro vyhledávání: '"J.K.O. Sin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:1392-1398
Two different process designs of horizontal current bipolar transistor (HCBT) technology suitable for future RF BiCMOS circuits are presented. The active transistor region is built in the defect-free sidewall of 900-nm-wide n-hills on a [110] wafer.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::95bdbde8de58d32e208af49be369fedd
https://doi.org/10.1109/ted.2005.850636
https://doi.org/10.1109/ted.2005.850636
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 49:584-589
In this paper, novel structures are reported to improve the cross-talk isolation, the performance of on-chip inductors, and the self-heating in a thin-film silicon-on-insulator (TFSOI) technology. In these structures, p/sup +/ substrate contact rings
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59a762ac759379e2aeefa9c17065aedb
https://doi.org/10.1109/16.992866
https://doi.org/10.1109/16.992866
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 47:2188-2193
Both p- and n-channel poly-Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x//Si sandwiched conductivity modulated thin-film transistors (CMTFTs) are demonstrated and experimentally characterized. The transistors use a poly-Si/Si/sub 1-x/Ge/sub x//Si sandwiched structure as th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27536bca752f1d9b1522d62cc2129894
https://doi.org/10.1109/16.877182
https://doi.org/10.1109/16.877182
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 45:2514-2520
The authors report the characterization and analysis of a novel double-gate elevated-channel thin-film transistor (ECTFT) fabricated using polycrystalline silicon. The transistor has a thin channel and thick source/drain regions with a double-gate co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d3273df426026f3dbbb68845864d45b8
https://doi.org/10.1109/16.735729
https://doi.org/10.1109/16.735729
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 20:589-591
A spreading-resistance temperature (SRT) sensor is fabricated on silicon-on-insulator (SOI) substrate and achieves promising characteristics as compared with similar SRT sensor on bulk silicon wafers. Moreover, experimental results show that the maxi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27f73ba7d6b6f14d1bc0310c6294cfa2
https://doi.org/10.1109/55.798053
https://doi.org/10.1109/55.798053