Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"J.K. Klingert"'
Autor:
R. M. Lum, J.K. Klingert
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 107:290-296
The chemical vapor deposition (CVD) techniques used to grow III/V semiconductors films, such as metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), hydride VPE, chemical beam epitaxy (CBE) and gas source molecular beam epitaxy (GS-MBE), all use hydrides (AsH 3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63c754f12b248132244c28fd7a8a54fa
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90473-i
https://doi.org/10.1016/0022-0248(91)90473-i
Autor:
J.K. Klingert, R.F. Austin, Alastair M. Glass, R. D. Feldman, J. P. van der Ziel, D. H. Olson, R.M. Lum
Publikováno v:
Materials Letters. 10:407-409
Optically pumped lasing has been observed up to 100 K in a Cd 0.2 Zn 0.8 Te ZnTe superlattice grown on a GaAs Si substrate. At 100 K, rapid degradation of the lasing signal is seen. This result is inferior to that previously reported for a similar st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7d2815ec06df2b580351bef97140ae32
https://doi.org/10.1016/0167-577x(91)90229-y
https://doi.org/10.1016/0167-577x(91)90229-y
Publikováno v:
Electronics Letters. 26:482
Device performance of GaAs metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) on InP substrates using tertiarybutylarsine (t-BuAsH/sub 2/) is reported. The 1 mu m gate FETs have a maximum e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51c6575a376ce0de7688e3533ab7cf13
https://doi.org/10.1049/el:19900313
https://doi.org/10.1049/el:19900313
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 89:137-142
We have investigated the use of methyl-, ethyl-, and butyl-based alkylarsine compounds as alternatives to arsine in the epitaxial growth of GaAs. These are all low vapor pressure liquids that can be handled more safely than arsine, which is stored as
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a5f2ba599d4a99675daed20cb58cf4a5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90083-8
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90083-8
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 75:421-428
A comprehensive MOCVD safety interlock system has been designed and implemented which provides continuous monitoring of critical reactor and laboratory systems. Operator response to system alarms is limited to a single rule — immediate evacuation o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bf1f0768b6d77a100c9eda519bf4137
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90084-9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(86)90084-9
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 93:120-126
Isotope tracer techniques using 13C are employed to obtain information on how the alkyl reactants used in MOVPE affect heterogeneous growth process and impurity incorporation reactions. GaAs growth was performed using trimethylgallium, 13C-enriched (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b618ab5c6e5b538e5e6697886d08df4e
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90516-7
https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90516-7
Publikováno v:
1986 International Electron Devices Meeting.
An experimental study has been performed on the electronic and optoelectronic properties of rectifying Au Schottky Barrier contacts on MOCVD grown GaAs (1) on bulk Ge, (2) on Si coated with Ge and (3) directly on Si. The electrical properties were st
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::71a9b404e0a6a3ae7c9aa4437eb33a47
https://doi.org/10.1109/iedm.1986.191121
https://doi.org/10.1109/iedm.1986.191121
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.