Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"J.J. Urgell"'
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.673-677. ⟨10.1051/rphysap:019780013012067300⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.673-677. ⟨10.1051/rphysap:019780013012067300⟩
To obtain large scale integration we have to reduce the geometry of devices. This, in turn, involves higher doping concentrations. Consequently, even at low applied voltages, the avalanche multiplication phenomenon can appear in all devices (bipolar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fce3c7faaa8212a5c04ce84f6615589e
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244524
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244524
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.619-624. ⟨10.1051/rphysap:019780013012061900⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.619-624. ⟨10.1051/rphysap:019780013012061900⟩
An experimental method is described for measuring electrons injection from the electrical substrate of a silicon-on-sapphire IGFET into the gate insulator at low operating voltage. The aim of these experiments is to identify the relevant parameters w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aff4714150769dcdd8d83f644833f2bf
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244513/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244513/document
Publikováno v:
Electronics Letters. 18:546
The drain-current/drain-voltage characteristics of a MOS-gated four-layered device are compared in different circuit configurations. A significant improvement of the on-resistance with MOS-gate control is observed under working conditions different f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20b59eaf137ddd462a15ff933c2bf711
https://doi.org/10.1049/el:19820370
https://doi.org/10.1049/el:19820370
Publikováno v:
Electronics Letters. 16:367
The transient surface potential ψs of an m.o.s. capacitor is regulated to a given value ψ0 by controlling the gate voltage. Simultaneously, the oxide voltage drop, depletion layer charge and generation current are measured. We present an applicatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5ecb98125a7dfb8c8d6c14bb34b60062
https://doi.org/10.1049/el:19800261
https://doi.org/10.1049/el:19800261
Publikováno v:
IEE Journal on SolidState and Electron Devices. 2:1
A new method is proposed which measures the emitter efficiency of a transistor when the emitter current is pinched in at the middle of the emitter. The measurement is then not confused by the effects of the edge of the emitter-base junction. The tech
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cfc78a5d8e2df571bf0e0de14c47a03a
https://doi.org/10.1049/ij-ssed.1978.0001
https://doi.org/10.1049/ij-ssed.1978.0001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.