Zobrazeno 1 - 10
of 170
pro vyhledávání: '"J.J. Sung"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Neurological Sciences. 381:33
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::498e4d53f97fe21911506f990e6cbe66
https://doi.org/10.1016/j.jns.2017.08.140
https://doi.org/10.1016/j.jns.2017.08.140
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 38:1473-1477
Ultra-shallow (∼0.1 μm) junctions are needed for sub-0.25 μm MOSFET devices. These junctions can be made by implanting dopants into silicides and then drive out by RTA (Rapid Thermal Anneal). Compared to furnace processed junctions, however, the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a2d990e2f880dcc92c14ed0f23fe0b4d
https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)00270-p
https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)00270-p
Autor:
J.J. Sung, Behzad Razavi
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 29:1560-1565
The design of a 6 GHz fully monolithic phase-locked loop fabricated in a 1 /spl mu/m, 20 GHz BiCMOS technology is described. The circuit incorporates a voltage-controlled oscillator that senses and combines the transitions in a ring oscillator to ach
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac0e70cfeee59a36042c5a8d655db77a
https://doi.org/10.1109/4.340431
https://doi.org/10.1109/4.340431
Autor:
K.F. Lee, R.W. Johnson, G.M. Chin, M. Tarsia, J.J. Sung, D.Y. Jeon, M. Cerullo, V.D. Archer, A.M. Voshchenkov, H.H. Kim, R.G. Swartz, T.M. Liu, Kei-Shun Lau, T.-Y. Chiu, M.D. Morris
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:1546-1555
We have developed a half-micron super self-aligned BiCMOS technology for high speed application. A new SIlicon Fillet self-aligned conTact (SIFT) process is integrated in this BiCMOS technology enabling high speed performances for both CMOS and ECL b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::269afee6cc2920fa092ae22a576ebb69
https://doi.org/10.1109/16.310106
https://doi.org/10.1109/16.310106
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 39:2797-2802
The authors have modeled the base current change with different percentages of broken interface-oxide area (interface void). A pseudo-two-dimensional structure of dual channels of minority-carrier transport at the interface between the polysilicon an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9ad860945c476d2757fc0d7707925732
https://doi.org/10.1109/16.168726
https://doi.org/10.1109/16.168726
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:246-254
Submicrometer CMOS transistors require shallow junctions to minimize punchthrough and short-channel effects. Salicide technology is a very attractive metallization scheme to solve many CMOS scaling problems. However, to achieve a shallow junction wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::79d5a67f7042d3677817a8e047a7151a
https://doi.org/10.1109/16.69902
https://doi.org/10.1109/16.69902