Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"J.J. Lutsky"'
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 146:691-696
Very large scale integration (VLSI), complementary metal on oxide semiconductor (CMOS) compatible piezoelectric materials such as AlN have great potential for applications as miniature bandpass filters. The AlN film quality strongly determines the fi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::186184d16972da44185f8ec61e0cc4cf
https://doi.org/10.1149/1.1391664
https://doi.org/10.1149/1.1391664
Publikováno v:
IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. 45:257-263
Thin-film piezoelectric materials such as ZnO and AlN have great potential for on-chip devices such as filters, actuators and sensors. The electromechanical coupling constant is an important material parameter which determines the piezoelectric respo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bff305c4fbf138a0f44ef0c037cc6519
https://doi.org/10.1109/58.646930
https://doi.org/10.1109/58.646930
Autor:
Rafael Reif, A.J. Becker, R. Miller, Charles G. Sodini, H. Huggins, J.J. Lutsky, J. Pastalan, G. Rittenhouse, L. Fetter, R.S. Naik, Y.-H. Wong
Publikováno v:
IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. 47(1)
Piezoelectric thin film AlN has great potential for on-chip devices such as thin-film resonator (TFR)-based bandpass filters. The AlN electromechanical coupling constant, K/sup 2/, is an important material parameter that determines the maximum possib
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8408b499845c29f1522037179175d155
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/18238542
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/18238542
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest.
Thin film bulk acoustic wave resonators (TFRs) show considerable promise as a silicon compatible integrated solution for RF bandpass filters with center frequencies in the 1-2 GHz range. This paper presents a VLSI compatible sealed cavity TFR process
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b765f0e62fc928556f6283bb64bbb6aa
https://doi.org/10.1109/iedm.1996.553130
https://doi.org/10.1109/iedm.1996.553130
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 13:563-565
The concept of merging a vertical n-p-n bipolar and two sidewall NMOS transistors into an NMOS input merged bipolar/sidewall-MOS transistor with a bypass sidewall NMOS transistor structure (NBiBMOS transistor) is described. The output current of this
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6da798be399103fda853d6744f2f64f3
https://doi.org/10.1109/55.192840
https://doi.org/10.1109/55.192840
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.